[發明專利]氮鋯酸鹽發光薄膜、電致發光器件及二者的制備方法

在審

• 申請號: 201310613431.0
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104673291A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種氮鋯酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述氮鋯酸鹽發光薄膜的化學式為MeZr₂O₂N₂：xCe³⁺；其中，

MeZr₂O₂N₂為基質，Ce³⁺為發光離子，x的取值范圍為0.01~0.05，Me為?Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的任意一種。

2.根據權利要求1所述的氮鋯酸鹽發光薄膜，其特征在于，x為0.03。

3.根據權利要求1所述的氮鋯酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述的氮鋯酸鹽發光薄膜的厚度為80nm~400nm。

4.一種氮鋯酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（a）稱取摩爾比為1：0.5：0.5：x的MeO、ZrO₂、Zr₃N₄及CeO₂粉體，經過均勻混合后，在燒結溫度為900℃~1300℃的條件下燒結制備靶材，其中，x的取值范圍為0.01~0.05，Me為?Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的任意一種；

（b）將步驟（a）中制備的所述靶材和襯底放入脈沖激光沉積設備的真空腔體中；

（c）將步驟（b）中的所述襯底和所述靶材的距離調整為45mm~95mm，將所述真空腔體的真空度調整為1.0×10^-5Pa~1.0×10^-3Pa，將通入所述真空腔體中的工作氣體氧氣的流量調整為10?sccm?~40sccm，將所述氧氣的壓強調整為0.5Pa~5Pa，將所述襯底的溫度調整為250℃~750℃，將所述脈沖激光沉積設備的激光的能量調整為80mJ?~300mJ，接著利用所述脈沖激光沉積設備制備得化學式為MeZr₂O₂N₂：xCe³⁺的所述氮鋯酸鹽發光薄膜，其中，MeZr₂O₂N₂為基質，Ce³⁺為發光離子，x的取值范圍為0.01~0.05，Me為?Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的任意一種。

5.根據權利要求4所述氮鋯酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氮鋯酸鹽發光薄膜的厚度為80nm~400nm。

6.一種電致發光器件，所述電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層及陰極層，其特征在于，所述發光層的材質為化學式為MeZr₂O₂N₂：xCe³⁺的所述氮鋯酸鹽發光薄膜，其中，MeZr₂O₂N₂為基質，Ce³⁺為發光離子，x的取值范圍為0.01~0.05，Me為?Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的任意一種。

7.根據權利要求6所述的電致發光器件，其特征在于，所述的氮鋯酸鹽發光薄膜的厚度為80nm~400nm。

8.一種電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底洗凈、干燥、備用；

在潔凈的所述襯底的一個表面上蒸鍍一層陽極層，并清洗；

在所述陽極層的表面上沉積一層化學式為MeZr₂O₂N₂：xCe³⁺的所述氮鋯酸鹽發光薄膜，即得發光層，其中，MeZr₂O₂N₂為基質，Ce³⁺為發光離子，x的取值范圍為0.01~0.05，Me為?Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的任意一種；

在所述發光層的表面上蒸鍍一層陰極層；

待上述步驟完成后，得到所述電致發光器件。