[發明專利]具有超陡逆行阱的體鰭片FET及其制造方法

有效

• 申請號: 201310613247.6
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103871893A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 蔡勁;K·K·陳;R·H·德納爾德;B·B·多里斯;B·P·林德爾;R·穆拉麗達;G·G·沙希迪
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L27/092
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種用體襯底形成鰭片晶體管的方法，包括：?

在體襯底中或上形成超陡逆行阱（SSRW），所述阱包括第一導電類型摻雜劑的摻雜部分并且在所述體襯底中在未摻雜層之下形成，所述SSRW在對應于鰭片結構的位置之下形成；?

在所述未摻雜層之上生長鰭片材料；?

從所述鰭片材料形成所述鰭片結構；?

在所述鰭片結構之上形成柵極結構；以及?

形成鄰近所述鰭片結構的源極和漏極區域以形成鰭片場效應晶體管。?

2.根據權利要求1的方法，其中形成超陡逆行阱（SSRW）包括外延生長所述SSRW以包括至少一個擴散阻擋層。?

3.根據權利要求2的方法，其中在所述未摻雜層中形成所述至少一個擴散阻擋層。?

4.根據權利要求1的方法，其中所述摻雜部分包括高摻雜接地面。?

5.根據權利要求1的方法，其中在所述體襯底中或上形成的擴散阻擋層上生長所述摻雜部分。?

6.根據權利要求1的方法，其中所述摻雜部分包括晶體結構，其被配置為防止所述第一導電類型摻雜劑的向外擴散。?

7.根據權利要求6的方法，其中所述晶體結構包括SiC并且所述第一導電類型摻雜劑包括B和P中的一種。?

8.根據權利要求6的方法，其中所述晶體結構包括SiGe并且所述第一導電類型摻雜劑包括B。?

9.根據權利要求1的方法，還包括在所述SSRW之上形成蝕刻停止層以增加所述未摻雜層并且為所述鰭片的形成提供蝕刻停止。?

10.一種用體襯底形成鰭片晶體管的方法，包括：?

在所述體襯底上生長延伸區域；?

在所述體襯底中形成窄溝槽隔離區域以分離器件區域；?

掩蔽第一器件區域以在所述延伸區域中形成第一超陡逆行阱（SSRW），所述第一SSRW包括在所述延伸區域的未摻雜部分之下的摻雜部分；?

不掩蔽所述第一器件區域并且掩蔽第二器件區域以形成第二SSRW，所述第二SSRW包括在所述延伸區域的未摻雜部分之下的摻雜部分，其中在所述第二SSRW中的摻雜具有與所述第一SSRW相反的極性。?

不掩蔽所述第二器件區域；?

在所述第一和第二SSRW之上生長鰭片材料；?

從所述鰭片材料形成鰭片結構，所述鰭片材料在各自的器件區域中摻雜有導電類型與在各自的鰭片結構之下的所述SSRW的摻雜劑相反的摻雜劑；?

在所述鰭片結構上形成柵極疊層；以及?

形成鄰近所述鰭片結構的源極和漏極區域以形成N-型和P-型鰭片場效應晶體管。?

11.根據權利要求10的方法，其中所述SSRW包括至少一個擴散阻擋層。?

12.根據權利要求10的方法，其中所述SSRW包括在所述摻雜部分中的高摻雜接地面。?

13.根據權利要求10的方法，其中所述延伸區域包括晶體結構，其被配置為防止摻雜劑從其中向外擴散。?

14.根據權利要求13的方法，其中所述晶體結構包括SiC并且所述第一導電類型摻雜劑包括B和P中的一種。?

15.根據權利要求13的方法，其中所述晶體結構包括SiGe并且所述第一導電類型摻雜劑包括B。?

16.根據權利要求10的方法，還包括在所述第一和第二SSRW上形成蝕刻停止層以增加所述未摻雜層并且為所述鰭片的形成提供蝕刻停止。?

17.根據權利要求10的方法，其中所述延伸區域包括在所述第一器件區域中的不同于所述第二器件區域的材料；?

18.根據權利要求10的方法，其中形成鰭片結構包括采用定時蝕刻來蝕刻所述鰭片材料以便在所述第一和第二SSRW上的所述未摻雜層包括所述鰭片材料的一部分。?