[發(fā)明專利]具有一致的鰭型場效晶體管柵極高度的結構及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310613212.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103854988A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設計）人: W.科特;J.E.福爾特邁耶;B.A.卡恩;R.拉馬錢德蘭;T.E.斯坦達爾特;汪新慧
• 申請（專利權）人: 國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種方法，包括：

提供由半導體基板蝕刻成的并且由氧化物層和氮化物層覆蓋的多個鰭，該氧化物層設置在該多個鰭和該氮化物層之間；

去除該多個鰭的一部分以形成開口；

在該開口的側壁上形成電介質間隔壁；

用填充材料填充該開口，其中該填充材料的頂表面與該氮化物層的頂表面實質上齊平；

形成與該多個鰭之一成一直線的深溝槽電容器；

去除該氮化物層以在該多個鰭和該填充材料之間形成間隙，其中該填充材料具有在該間隙之上延伸的凹形幾何形狀；以及

去除該凹形幾何形狀并且導致該多個鰭和該填充材料之間的該間隙加寬。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

去除該氧化物層；以及

凹陷該填充材料以使該填充材料的該頂表面與該鰭的頂表面實質上齊平。

3.如權利要求2所述的方法，還包括：

在該多個鰭和該填充材料之上和之間形成柵極。

4.如權利要求1所述的方法，其中形成該柵極包括采用柵極先工藝流程或者置換柵極工藝流程。

5.如權利要求1所述的方法，其中用填充材料填充該開口包括沉積氧化物。

6.如權利要求1所述的方法，其中提供由半導體基板蝕刻成的多個鰭包括提供塊狀基板或絕緣體上半導體基板。

7.如權利要求1所述的方法，其中形成該深溝槽電容器還包括：

形成深溝槽；

形成埋設板；

形成節(jié)點電介質；以及

形成內部電極。

8.一種結構，包括：

由半導體基板蝕刻成的第一多個鰭和第二多個鰭；

深溝槽電容器，與該多個鰭之一設置成一直線并且與其電連接；以及

填充材料，設置在該半導體基板之上以及該第一多個鰭和該第二多個鰭之間，其中該填充材料不接觸該第一多個鰭或該第二多個鰭。

9.如權利要求8所述的結構，還包括：

柵極，設置在該第一多個鰭、該第二多個鰭和該填充材料之上和之間，其中該柵極包括至少與該填充材料不同的材料。

10.如權利要求8所述的結構，其中該填充材料與該第一多個鰭和該第二多個鰭具有實質上相同的高度。

11.如權利要求8所述的結構，其中該填充材料包括氧化物。

12.如權利要求8所述的結構，其中該半導體基板包括塊狀基板或絕緣體上半導體基板。