[發明專利]采用原邊控制的反激拓撲結構電路

有效

• 申請號: 201310613120.4
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103747559A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 陳雪松;易坤;高繼;趙方麟
• 申請（專利權）人: 成都岷創科技有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及半導體集成電路領域，更具體的說是涉及一種采用原邊控制的反激拓撲結構電路。

背景技術

近年來由于全球的綠色環保意識逐步提高，LED照明產品得到大力的開發，并開始逐漸走進千家萬戶。在LED照明產品中，AC-DC的LED驅動電源電路為LED提供電源，而由于LED（Light?Emitting?Diode）為電流型器件，發光亮度受電流影響較大，因此LED驅動電源需要為LED提供穩定的恒定電流輸出。

目前的LED照明電源驅動中廣泛采用臨界電流導通模式(BCM)和斷流控制模式(DCM)實現恒流輸出控制。為了實現更高的電源效率，有的電源驅動芯片采用了準諧振控制模式，一種介于BCM和DCM之間的控制模式。

這種根據不同的電流導通模式以及所采用的系統拓撲結構，需要不同的控制芯片采用了各種不同的恒流算法和電路來實現輸出恒流。這些不同的算法和電路大大增加了芯片研發的周期和復雜度，同時有的開環恒流算法還帶來了低精度，差線調整率和負載調整率等問題。

發明內容

本發明提供一種采用原邊控制的反激拓撲結構電路，其采用以原邊控制的準諧振控制模式的反激拓撲結構電路，電路簡單，使得該電路設計可用于芯片內部集成，與外圍芯片參數無關，降低開發難度。

為解決上述的技術問題，本發明采用以下技術方案：

采用原邊控制的反激拓撲結構電路，它包括積分電路，所述的積分電路連接在峰值電流比較器上，所述的峰值電流比較器連接在電感儲能電路上，所述的電感儲能電路連接在積分電路的輸入端上，所述的電感儲能電路包括橋式整流電路和變壓器，所述的橋式整流電路輸出端連接在變壓器的第一原邊Np上,?第一原邊Np的另一端連接在N型場效應管的源極上，所述的變壓器的第二原邊Na的一端接地，另一端上串聯有電阻R1和電阻R2，所述的電阻R1和電阻R2的公共端連接在峰值電流比較器上，所述的N型場效應管的柵極和漏極均連接在峰值比較器上，所述的N型場效應管的漏極通過電阻R3與地相連，所述的變壓器的副邊Ns一端接地，另一端與二極管D5的陽極相連，所述的副邊Ns的接地端和二極管D5的陰極之間連接有電容Cout。

更進一步的技術方案是:

所述的峰值電流比較器包括運算放大器A2、觸發器、下降沿檢測電路和驅動電路，所述的運算放大器A2的同相輸入端連接在N型場效應管的漏極上，所述的運算放大器A2的輸出端連接在觸發器的S端上，所述的下降沿檢測電路和驅動電路分別連接在觸發器的R端和Q端上，所述的驅動電路連接在N型場效應管的柵極上，所述的下降沿檢測電路連接在電阻R1和電阻R2的公共端上。

所述的積分電路包括單刀雙擲開關S1、電阻R6、電阻R5、運算放大器A1和P型場效應管，所述的運算運算放大器A1的輸出端連接在P型場效應管的柵極上，所述的運算放大器A1的反相輸入端通過電容C1連接在P型場效應管的源極上；所述的電阻R6上并聯有電容C2，且一端通過電阻R5連接在P型場效應管的源極，另一端接地，所述的單刀雙擲開關S1的兩個不動端分別與地和P型場效應管的源極相連，所述的單刀雙擲開關S1的動端通過電阻R4連接在運算放大器A1的反相輸入端上。

所述的電阻R6和電阻R5的比值為3。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明采用以原邊控制的準諧振控制模式的反激拓撲結構，該電路簡單，使得該電路設計可用于芯片內部集成，與外圍芯片參數無關，降低開發難度。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。

圖1為本發明的峰值電流比較器和電感儲能電路連接電路圖。

圖2為本發明的積分電路的電路圖。

圖3為本發明的峰值電流比較器的原理框圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的說明。本發明的實施方式包括但不限于下列實施例。

[實施例]