[發(fā)明專利]一種用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310613010.8
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103646902A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張召;王智;蘇俊銘;張旭昇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，應(yīng)用于爐管中，其特征在于，所述氣體注入管為由下到上管路直徑逐漸增大的管道，且所述注入管的管壁設(shè)置有若干毛細(xì)孔；其中，所述毛細(xì)孔由下而上分布的密度逐漸增大，且位于上方的所述毛細(xì)孔的孔徑大于位于下方的所述毛細(xì)孔的孔徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，其特征在于，所述注入管為從下往上氣體管開口逐漸變大的梯形構(gòu)造。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，其特征在于，所述毛細(xì)孔由下到上逐漸變大且逐漸變多。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，其特征在于，氣體通過所述注入管由下而上從所述毛細(xì)孔到達(dá)晶舟，所述毛細(xì)管隨著管徑增大而增多且所述毛細(xì)管的之間也隨之增大，到達(dá)所述晶舟的氣體也越多，從而使得晶舟周圍的濃度從上到下均一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，其特征在于，所述注入管可以使到達(dá)晶舟周圍的氣體溫度一致。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述用于優(yōu)化半導(dǎo)體工藝條件的氣體注入管，其特征在于，所述注入管注入的氣體使得晶舟上晶圓形成的膜的性質(zhì)及其厚度均一致。