[發明專利]接觸孔及其形成方法

在審

• 申請號: 201310612577.3
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104681538A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 韓秋華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成柵極；

在柵極之間的襯底中形成源區以及漏區；

在所述襯底以及柵極上形成層間介質層；

在所述層間介質層中形成位于所述柵極之間的接觸孔，以暴露出所述源區或者漏區；

在所述接觸孔的內壁以及底面形成介質材料層；

在形成有所述介質材料層的接觸孔中填充掩模層；

以所述掩模層為掩模，去除位于接觸孔側壁上部的介質材料層；

去除所述掩模層；

去除位于所述接觸孔底面的介質材料層，使剩余的介質材料層均位于所述接觸孔側壁的下部，且所述剩余的介質材料層沿接觸孔側壁的方向覆蓋所述柵極；

在所述接觸孔中形成導電插塞。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成柵極的步驟之后，形成源區以及漏區之前，還包括：在所述柵極的側壁分別形成側墻；在形成接觸孔的步驟中，靠近所述接觸孔的側墻被去除或部分去除。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成層間介質層的步驟之前，還包括在柵極、源區、漏區以及襯底上覆蓋接觸孔蝕刻停止層。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成接觸孔的步驟包括，使所述接觸孔露出所述柵極的側壁。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成介質材料層的步驟包括，采用低K材料形成所述介質材料層。

6.如權利要求1或5所述的形成方法，其特征在于，所述介質材料層中包括硅，還包括氧或者碳元素的至少一種。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成介質材料層的步驟包括：使所述介質材料層的厚度不大于所述接觸孔孔徑的三分之一。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成掩模層的步驟中，所述掩模層是底部抗反射涂層或者深紫外線吸收氧化物層。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除位于接觸孔側壁上部的介質材料層的步驟包括：使去除后剩余的介質材料層沿接觸孔側壁方向的高度至少超過柵極50納米。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除位于接觸孔側壁上部的介質材料層的步驟包括：采用干法蝕刻去除所述介質材料層。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩模層是底部抗反射涂層，或者深紫外線吸收氧化物層；去除掩模層的步驟包括：采用含有氮氣和氫氣的等離子氣體去除所述掩模層。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除掩模層的步驟中，采用濕法蝕刻去除所述掩模層，濕法蝕刻的蝕刻劑采用四甲基氫氧化銨。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除接觸孔底面的介質材料層的步驟中，采用干法蝕刻去除位于接觸孔底面所述介質材料層。

14.一種接觸孔，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上設有不少于一個柵極，柵極露出的襯底中設有源區和漏區；

形成于所述襯底以及柵極上的層間介質層；

形成于所述層間介質層中的接觸孔，所述接觸孔位于所述柵極之間，并將所述源區或者漏區暴露出；

設于所述接觸孔側壁下部的介質材料層，所述介質材料層沿接觸孔側壁的方向覆蓋所述柵極；

填充于所述接觸孔中的導電插塞。

15.如權利要求14所述的接觸孔，其特征在于，所述層間介質層與襯底之間、所述層間介質層與柵極之間還設有接觸孔蝕刻停止層。

16.如權利要求14所述的接觸孔，其特征在于，所述介質材料層為低K材料層。

17.如權利要求14所述的接觸孔，其特征在于，所述介質材料層中包括硅，還包括氧或者碳元素的至少一種。