[發(fā)明專利]一種石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310611998.4 | 申請日: | 2013-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN103668054A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳艷;孟麗娜;金小鋒;鄒江波;閆海;郭亞北;于慧;路文一 | 申請(專利權(quán))人: | 北京遙測技術(shù)研究所;航天長征火箭技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 褚鵬蛟 |
| 地址: | 100076 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石英 微機(jī) 傳感器 電極 蒸鍍用 工裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝。
背景技術(shù)
微機(jī)械傳感器是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器,與傳統(tǒng)的傳感器相比,它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適于批量化生產(chǎn)、易于集成和實(shí)現(xiàn)智能化的特點(diǎn)。同時,在微米量級的特征尺寸使得它可以完成某些傳統(tǒng)機(jī)械傳感器所不能實(shí)現(xiàn)的功能。石英晶體由于其具有絕緣性好、溫度穩(wěn)定性好、機(jī)械性能良好、品質(zhì)因數(shù)高以及易于制造加工等優(yōu)點(diǎn),廣泛用于制備微機(jī)械傳感器。如石英微機(jī)械陀螺、石英微機(jī)械加速度計、微機(jī)械石英壓力傳感器等。由于石英晶體的絕緣性與壓電性,制備這些傳感器時必須在其表面與側(cè)面制備出分離的電極,表面電極可以通過蒸鍍電極膜層后光刻得到,側(cè)面電極的制備一般都是通過掩膜板遮蓋住表面電極后進(jìn)行二次蒸鍍得到。
真空蒸發(fā)鍍膜工藝由于其設(shè)備操作簡單,厚度控制方便,生長機(jī)理單純等特點(diǎn)。已經(jīng)廣泛應(yīng)用于制備微機(jī)械石英傳感器電極膜層的制備。但是為了提高電極膜層與石英基片的結(jié)合力,通常要對基片施加100℃左右的烘烤溫度,而且在蒸發(fā)過程中由于蒸發(fā)舟的加熱也會對基片進(jìn)行加溫,這個過程的溫升速率大,最終的溫度可大于200℃。通常使用的不銹鋼金屬掩膜板此時會出現(xiàn)較大的變形,使得對表面電極遮擋保護(hù)不好而發(fā)生短路現(xiàn)象。一般解決金屬掩膜板在蒸發(fā)過程中的變形都是采用復(fù)雜的工裝對掩膜板進(jìn)行壓緊固定,但這種工裝機(jī)加困難,不適于大批量基片生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種結(jié)構(gòu)簡單、便于機(jī)加制作的石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝,同時能夠很好地實(shí)現(xiàn)對石英微機(jī)械傳感器電極的雙面掩膜蒸鍍。
本發(fā)明包括如下技術(shù)方案:
一種石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝,包括上掩膜板、下掩膜板和固定夾具;所述上掩膜板包括第一框架和第一薄板;第一薄板通過激光焊接方式固定在第一框架的下表面;所述第一框架上形成第一錐形孔,第一錐形孔的上端直徑比下端直徑大;所述下掩膜板包括第二框架和第二薄板;第二薄板通過激光焊接方式固定在第二框架的上表面;所述第二框架上形成第二錐形孔,第二錐形孔的上端直徑比下端直徑小;在第二框架橫向上形成吸氣孔;在第二框架上靠近所述第二薄板的外邊緣的圓周方向上形成吸氣槽,且吸氣槽與吸氣孔相通;第一薄板與待加工基片的上表面接觸;第二薄板與待加工基片的下表面接觸;通過所述固定夾具將上掩膜板、待加工基片和下掩膜板固定;在第一薄板和第二薄板上分別形成與石英微機(jī)械傳感器電極形狀對應(yīng)的圖形;第一框架、第一薄板、第二框架、第二薄板和固定夾具的材料相同。
第一框架、第一薄板、第二框架、第二薄板和固定夾具均為因瓦合金材料。
所述第一薄板和第二薄板的厚度為40微米至130微米。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明上下掩膜板的薄板與框架焊接在一起,框架結(jié)構(gòu)簡單,便于機(jī)加制作,并且與框架焊接在一起,減少了薄板與框架的對準(zhǔn)固定,便于生產(chǎn)操作。
本發(fā)明的工裝通過采用上下掩膜板能實(shí)現(xiàn)基片的雙面對準(zhǔn),雙面掩膜蒸鍍,相對于單面掩膜蒸鍍,使基片可以在鍍膜機(jī)中翻轉(zhuǎn)鍍膜,這樣只需進(jìn)行一次抽真空便能完成基片的兩面掩膜蒸鍍電極,不僅提高生產(chǎn)效率,減少工序時間,而且可以提高膜層質(zhì)量。
本發(fā)明的第一框架、第一薄板、第二框架、第二薄板和固定夾具的材料相同,使得整個結(jié)構(gòu)隨溫升變形相同,對基片上的圖形能夠起到非常好的掩膜作用。
附圖說明
圖1a為本發(fā)明的石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝的組裝圖;
圖1b為本發(fā)明的石英微機(jī)械傳感器電極蒸鍍用的掩膜工裝的分解圖;
圖2a為上掩膜板的下表面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2b為上掩膜板中的第一框架立體示意圖;
圖3a為下掩膜板的上表面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3b為下掩膜板中的第二框架立體示意圖。
具體實(shí)施方式
下面就結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步介紹。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





