[發明專利]晶體管的形成方法

在審

• 申請號: 201310611805.5
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104681435A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 周祖源
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成界面層；

在所述界面層上形成高K柵介質層；

在所述高K柵介質層上形成帽蓋層；

在所述帽蓋層上形成金屬柵極；

在形成帽蓋層之后，對所述界面層和所述高K柵介質層進行無氧致密化處理。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述無氧致密化處理為激光退火工藝。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述激光退火工藝在惰性氣體或者氮氣的氣氛中進行，所述激光退火工藝的退火時間范圍為0.25毫秒～1毫秒，所述激光退火工藝的退火溫度范圍為600℃～1100℃。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述激光退火工藝采取固定激光光斑且移動半導體襯底的方式進行，所述激光光斑為長為5mm～8mm且寬為125μm的長方形，或者所述激光光斑為長為8mm～12mm且寬為75μm的長方形。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述高K柵介質層上形成所述帽蓋層之后，且在對所述界面層和所述高K柵介質層進行無氧致密化處理之前，還包括：在所述帽蓋層上形成偽柵極。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述帽蓋層上形成所述偽柵極之后，且在對所述界面層和所述高K柵介質層進行無氧致密化處理之前，還包括：去除所述偽柵極。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述界面層的材料為二氧化硅或者含氮二氧化硅，厚度范圍為

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述高K柵介質層的材料為氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁中的一種或者多種，厚度范圍為

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述帽蓋層的材料為氮化鈦、氮化鉈和氮化鎢中的一種或者多種，厚度范圍為

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底表面具有氧化層，在所述半導體襯底上形成界面層之前，還包括步驟：去除所述氧化層直至暴露出所述半導體襯底表面。