[發明專利]電阻爐合成單晶碳化硅制備方法無效
| 申請號： | 201310611768.8 | 申請日： | 2013-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104120493A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 梅咬清 | 申請（專利權）人： | 梅咬清 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 430017 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻爐 合成 碳化硅 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.本發明在電阻爐合成單晶碳化硅制備方法，而單晶碳化硅是屬半導體技術領域中一種半導體芯片材料，廣泛用于高科技及國防工業；
電阻爐合成單晶碳化硅制備方法是“熔解法”其技術條件必須具備溫度2600度之間，結晶合成，有形成單晶碳化硅晶體的空間，在此空間中，sic是過飽和濃度狀態，形成空氣溫度對流，飽和溶態狀，必須溫度恒定，不受外界氣流對流沖擊處密封狀態。
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