[發明專利]一種解理的方法無效
| 申請號: | 201310611600.7 | 申請日: | 2013-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103646990A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 王秀珍 | 申請(專利權)人: | 青島藍圖文化傳播有限公司市南分公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 馬娟娟 |
| 地址: | 266000 山東省青*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 解理 方法 | ||
1.一種解理方法,采用氣動的吸力迫使芯片沿晶向自然解理,為實現吸力,將常規解理機臺的樣品支持件換成具有氣動的裝置,樣品支持件設計成一長條塊,內部挖空成一封閉腔室,腔室側面打孔連出真空管,上表面由兩個面組成,左表面與下表面平行,右表面與下表面夾角小于8°,在上表面上打孔,用于吸附樣品,左上表面靠近右上表面共用邊的區域預留出一定寬度區域不打孔,用于劃片時有一定平整度的樣品臺,在解理樣品時,先用劃片命令在樣品解理槽前端切出一定長度的缺口,再啟用真空裝置用吸力吸住樣品解理槽左右兩邊的區域,即施加一定強度的吸力給樣品,使得樣品在兩個吸力和一個支撐力的作用下沿缺口處裂開,形成自然解理的端面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





