[發(fā)明專利]用于液晶顯示裝置的陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310611261.2
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104133312A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 鄭義顯;李正一;金可卿
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

技術領域

本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。本發(fā)明還涉及用于孔徑比得到改進的邊緣場開關模式液晶顯示裝置的陣列基板。

背景技術

有利于顯示運動圖像并且由于高對比度而廣泛用作便攜式裝置的顯示器、計算機的監(jiān)視器以及電視的液晶顯示（LCD）裝置可基于光學各向異性和液晶分子的偏振來形成圖像。由于液晶分子具有薄和長的外形，所以液晶分子的排列具有一定方向。當液晶分子被設置在電場中時，液晶分子的排列方向根據(jù)電場的強度和方向而改變。

LCD裝置可包括作為基本組件的液晶面板。LC面板可包括上面具有兩個電極的兩個基板以及該兩個基板之間的液晶層?？赏ㄟ^改變在所述兩個電極之間產(chǎn)生的電場來調(diào)節(jié)液晶層中的液晶分子的排列方向，并且可改變液晶層的透射率以顯示各種圖像。

通常，LCD裝置包括陣列基板、濾色器基板以及該陣列基板與該濾色器基板之間的液晶層。選通線和數(shù)據(jù)線、開關元件和像素電極形成在陣列基板上，并且濾色器層和公共電極形成在濾色器基板上。液晶層中的液晶分子通過像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的豎直電場來驅(qū)動。

然而，利用垂直于陣列基板的豎直電場的LCD裝置具有相對窄的視角。為了改進視角，提出了面內(nèi)切換（IPS）模式LCD裝置。在IPS模式LCD裝置中，像素電極和公共電極交替地形成在陣列基板上，并且在像素電極和公共電極之間產(chǎn)生水平電場。由于液晶分子由水平電場驅(qū)動以沿著平行于陣列基板的方向運動，所以IPS模式LCD裝置的視角改進。

然而，IPS模式LCD裝置具有相對低的孔徑比和相對低的透射率。為了改進孔徑比和透射率，提出了通過邊緣場驅(qū)動液晶分子的邊緣場開關（FFS）模式LCD裝置。

圖1是示出用于根據(jù)現(xiàn)有技術的邊緣場開關模式液晶顯示裝置的陣列基板的平面圖。

在圖1中，選通線43和數(shù)據(jù)線51形成在用于邊緣場開關（FFS）模式液晶顯示（LCD）裝置的陣列基板1上。選通線43與數(shù)據(jù)線交叉以限定像素區(qū)域P。連接至選通線43和數(shù)據(jù)線51的薄膜晶體管（TFT）Tr形成在像素區(qū)域P中。TFT?Tr包括多晶硅的半導體層41、半導體層41上的柵絕緣層（未示出）、柵絕緣層上的第一柵電極44a和第二柵電極44b以及接觸半導體層41的源電極55和漏電極58。第一柵電極44a和第二柵電極44b彼此間隔開，并且源電極55和漏電極58彼此間隔開。

雖然與包括非晶硅半導體層的TFT相比，包括多晶硅的半導體層的TFT具有較高的遷移率，但是與包括非晶硅半導體層的TFT相比，包括多晶硅的半導體層的TFT由于漏電電流（leakage?current）而具有較高的漏電流（off?current）。為了減小漏電流，包括多晶硅的半導體層41的TFT?Tr形成為具有雙柵極（第一柵電極44a和第二柵電極44b）。

光丙烯酸材料（photo?acrylic?material）的平面化層（未示出）形成在TFT?Tr上，并且公共電極60形成在平面化層上。公共電極60具有與像素區(qū)域P中的TFT?Tr對應的第一開口（未示出）。

鈍化層（未示出）形成在公共電極60上，并且連接至TFT?Tr的像素電極70形成在像素區(qū)域P中的鈍化層上。像素電極70通過漏接觸孔dch接觸TFT?Tr的漏電極58，并具有多個第二開口op2，所述第二開口op2具有平行于數(shù)據(jù)線51的條狀。

FFS模式LCD裝置1可用作諸如電視的大尺寸顯示器或用于諸如智能電話和平板個人計算機的個人便攜式設備的小尺寸顯示器。大尺寸顯示器或小尺寸顯示器由于高分辨率而需要優(yōu)良的顯示質(zhì)量。顯示裝置中的分辨率可定義為單位面積中的像素數(shù)（每英寸像素：PPI），并且高分辨率的裝置具有等于或大于大約200PPI的分辨率。

為了獲得高分辨率，單位面積中的像素數(shù)應該增大并且像素區(qū)域的面積應該減小。然而，由于像素區(qū)域的面積涉及顯示裝置的元件、元件的布置和顯示裝置的孔徑比，所以在減小像素區(qū)域的面積方面存在限制。具體地說，由于在各種顯示裝置當中，孔徑比是LCD裝置的高分辨率的關鍵因素，所以高分辨率的LCD裝置需要高孔徑比。

FFS模式LCD裝置的陣列基板1包括光丙烯酸材料的平面化層，并且該平面化層具有用于暴露TFT?Tr的漏電極58的漏接觸孔dch。漏接觸孔dch具有用于防止劣化的最小面積并形成在各個像素區(qū)域P中。結(jié)果，漏接觸孔dch是減小孔徑比的因素。為了高分辨率，要求用于FFS模式LCD裝置的陣列基板1具有高孔徑比的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容