[發明專利]高導熱絕緣銅基板的制備方法

無效

• 申請號: 201310610677.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103633225A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 王春青;朱建東;溫廣武
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述方法步驟如下：

步驟一、將所需要的銅基板進行拋光處理；

步驟二、稱取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，然后向球磨罐中加入適量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液，其中控制聚碳硅烷質量分數小于60%；

步驟三、按照Si、Al原子比為1:1～1:30的比例稱取經表面改性的氮化鋁粉體，并置于球磨罐中，進行球磨混合，完成混合漿料制備；

步驟四、將步驟三所獲得的混合漿料涂覆或流延到已拋光的銅基板表面，然后干燥，獲得預制陶瓷銅基板坯料；

步驟五、將步驟四所獲得的預制陶瓷銅基板坯料置于管式爐內完成熱處理，所述熱處理過程為：向管式爐內充入流動濕惰性氣體，然后以1～5℃/min升溫速率將管式爐加熱到1020～1080℃，保溫0.5h～2h，以2～4℃/min的降溫速率降到400℃，最后自然冷卻到室溫，即可獲得高導熱絕緣銅基板；

步驟六、重復步驟四和步驟五，采用多次涂覆-干燥-燒結工藝制備出規定厚度、無針孔、無裂紋的高絕緣涂層。

2.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述步驟三中，球磨時間為1～48小時。

3.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述步驟四中，干燥方式為室溫空氣自由干燥或者70℃真空干燥。

4.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述絕緣陶瓷涂層的厚度為10～100微米。

5.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述Si、Al原子比為1:1。

6.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述Si、Al原子比為1:10。

7.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述Si、Al原子比為1:15。

8.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述銅基板的材質為純銅或銅基復合材料。

9.根據權利要求8所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述銅基復合材料為W/Cu或Mo/Cu。

10.根據權利要求1所述的高導熱絕緣銅基板的制備方法，其特征在于所述步驟五中，濕氣流量控制在0.1～0.8L/min。