[發明專利]低溫快速燒成陶瓷磚及生產工藝

有效

• 申請號: 201310609264.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103693942A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 黃建平;謝悅增;王永強;陳志川;楊福偉;李炯志;滿麗珠
• 申請（專利權）人: 廣東家美陶瓷有限公司
• 主分類號: C04B33/132
• 分類號: C04B33/132
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種低溫快速燒成陶瓷磚，其特征在于：所述陶瓷磚坯料中至少一種是拋光磚生產在磨拋過程所產生的微細顆粒料；通過收集拋光工序所產生的含微細顆粒的廢水，經沉淀、壓濾處理后獲得拋光廢料，該陶瓷磚坯料按重量百分比由以下組份組成：

拋光廢料48%～73%　　　瓷砂5%～20%

粘土20%～27%　　　　　礦化劑2%～5%　。

2.根據權利要求1所述低溫快速燒成陶瓷磚，其特征在于：所述陶瓷磚坯料按重量百分比，進一步由以下組份組成：

拋光廢料65%???　　瓷砂13%

粘土20%???　　　　硅灰石2%　。

3.根據權利要求1所述低溫快速燒成陶瓷磚，其特征在于：所述礦化劑選用一種或其組合：硅灰石、透輝石、滑石、鋰輝石類的低溫熔劑原料。

4.一種根據權利要求1所述低溫快速燒成陶瓷磚的生產工藝，其特征在于，包括以下工序：

⑴收集拋光廢料；將壓濾備用的拋光廢料及其它原料折算成干重，按配方百分比配料，濕法球磨成漿料；?

⑵將泥漿噴霧干燥制成粉料，干壓成型陶瓷磚坯；

⑶將磚坯干燥、施釉并表面進行裝飾；

⑷將裝飾坯入陶瓷輥道窯燒成；其快速燒成的溫度為：1050℃～1140℃，燒成周期35～75分鐘，燒制成吸水率小于0.5%的瓷質磚。

5.根據權利要求4所述低溫快速燒成陶瓷磚的生產工藝，其特征在于：所述拋光廢料的微細顆粒組成分布在1.5～30微米之間，平均粒徑為6微米。

6.根據權利要求4所述低溫快速燒成陶瓷磚的生產工藝，其特征在于：所述工序⑶的表面裝飾手段，依產品裝飾效果，采用其中一種或其組合：噴釉、淋釉，絲網、膠輥、噴墨印花，布施干粒及成品磚釉面拋光工藝。

7.根據權利要求4所述低溫快速燒成陶瓷磚的生產工藝，其特征在于：所述生產方法進一步包括：

⑴收集備用的拋光廢料檢測水分，配料折算成干基的坯料后入球磨機入球磨機，加水濕磨成泥漿，泥漿細度大于40微米的顆粒小于2.?50%，泥漿的流速：32～41秒/100ml；泥漿含水率：33～35.0%，經過篩、除鐵入漿池儲存備用；?

⑵將粉料的水分控制在6%～7%，容重0.98?g/ml，干壓成型制成磚坯并干燥，對干燥坯的表面進行裝飾，送入陶瓷輥道窯燒成；

⑶利用陶瓷輥道窯燒成，燒成溫度1080℃，燒成周期45分鐘，產品吸水率為0.50%以下，制成瓷質磚成品。

8.根據權利要求4所述低溫快速燒成陶瓷磚的生產工藝，所述拋光廢料的收集方法包括：

⑴收集粗拋、精拋工序產生的含微細顆粒的廢水；

⑵廢水由水溝入沉淀池、沉淀；

⑶沉淀池中加絮凝劑；

⑷一、二級沉淀池中的廢水送磨邊工序循環利用；

⑸三級沉淀池中的高濃度料漿送往壓濾機，壓濾成泥餅；

⑹泥餅轉倉、均化、陳腐，供低溫燒成陶瓷磚的坯料使用。