[發(fā)明專利]一種III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310607972.2
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN103595385A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉洪剛;楊靖治;常虎東;劉桂明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，該射頻開關(guān)電路包括一個(gè)由GaAs?MOSFET構(gòu)成的自偏置開關(guān)電路，該自偏置開關(guān)電路是射頻信號(hào)通路，具有兩個(gè)直流電壓偏置端，每個(gè)直流電壓偏置端均連接有一個(gè)靜電保護(hù)電路，用以防止開關(guān)由于靜電帶來的大電壓而損壞；同時(shí)，每個(gè)直流電壓偏置端還連接有一個(gè)自升壓電路，用以對(duì)直流供電電壓進(jìn)行升壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，該自偏置開關(guān)電路包括發(fā)射端口(TX)到天線(ANT)的發(fā)射電路，以及天線(ANT)到接收端口(RX)的接收電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，在發(fā)射電路中，第一直流偏置電壓源(Vctrl_1)連接于第一MOS管(T1)的柵極，通過控制第一MOS管(T1)的柵極電壓大小來控制第一MOS管(T1)的開啟和關(guān)斷，從而控制發(fā)射電路的開啟和關(guān)斷；第三電阻(R3)與第一MOS管(T1)的柵極相連，起到隔離射頻信號(hào)的作用；第三MOS管(T3)與第二直流偏置電壓源(Vctrl_2)相連，其開關(guān)狀態(tài)與第一MOS管(T1)相反，用來改善發(fā)射電路的隔離度性能；第五電阻(R5)連接第三MOS管(T3)的柵極和第二直流偏置電壓源(Vctrl_2)，起到隔離射頻信號(hào)的作用。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，在接收電路中，第二直流偏置電壓源(Vctrl_2)連接第二MOS管(T2)的柵極，通過控制第二MOS管(T2)的柵極電壓大小來控制第二MOS管(T2)的開啟和關(guān)斷，從而控制接收電路的開啟和關(guān)斷；第四電阻(R4)與第二MOS管(T2)的柵極相連，起到隔離射頻信號(hào)的作用；第四MOS管(T4)與第一直流偏置電壓源(Vctrl_1)相連，其開關(guān)狀態(tài)與第二MOS管(T2)相反，用來改善接收電路的隔離度性能；第六電阻(R6)連接第三MOS管(T3)的柵極和第二直流偏置電壓源(Vctrl_2)，起到隔離射頻信號(hào)的作用。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述靜電保護(hù)電路包括兩個(gè)相同的電路部分，其中一個(gè)電路部分包括漏極源極互相串聯(lián)的第十一MOS管(T11)和第十二MOS管(T12)，第十一MOS管(T11)的柵極與第十二MOS管(T12)的柵極都與第十一MOS管(T11)的漏極和第十二MOS管(T12)的源極相連，第十二MOS管的漏極與第一直流偏置電壓源(Vctrl_1)相連；其中另一個(gè)電路部分包括漏極源極互相串聯(lián)的第十三MOS管(T13)和第十四MOS管(T14)，第十三MOS管(T13)的柵極與第十四MOS管(T14)的柵極都與第十三MOS管(T13)的漏極和第十四MOS管(T14)的源極相連，第十四MOS管(T14)的漏極與第二直流偏置電壓源(Vctrl_2)相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III-V族MOSFET器件的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述自升壓電路中包括第一升壓電路部分和第二升壓電路部分，第一升壓電路部分和第二升壓電路部分相互對(duì)稱。