[發(fā)明專利]一種改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310607204.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103594317A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈文凱;王紅衛(wèi) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人： | 孟宏偉 |
| 地址： | 215011 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改進(jìn)型 材料 表面 等離子體 處理 裝置 | ||
1.?一種改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，包括外殼、電極組件、等離子發(fā)生器和氣體分布板，所述外殼頂部設(shè)置有用于排出氣體的抽氣口，所述外殼底部設(shè)置有用于通入反應(yīng)氣體的氣體入口，所述外殼內(nèi)設(shè)置有反應(yīng)腔室，所述電極組件設(shè)置于所述反應(yīng)腔室外表面上，所述氣體分布板設(shè)置于所述反應(yīng)腔室內(nèi)，所述電極組件設(shè)置于所述氣體分布板上方，所述氣體分布板上設(shè)置有若干用于反應(yīng)氣體進(jìn)入的氣孔，所述電極組件與所述等離子發(fā)生器電連接。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，所述電極組件為螺旋狀電極。
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，所述螺旋狀電極為立體螺旋狀電極或平面螺旋狀電極。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子發(fā)生器包括用于調(diào)節(jié)所述電極組件功率的電源和與所述電源連接的匹配器，所述匹配器還與所述電極組件電連接。
5.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，還包括用于排出氣體的氣泵，所述氣泵與所述抽氣口連接，氣泵與抽氣口之間還設(shè)置有過(guò)濾器。
6.?根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進(jìn)型粉體材料表面等離子體處理裝置，其特征在于，還包括用于提供反應(yīng)氣體的氣源，所述氣源與所述氣體入口連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司，未經(jīng)蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310607204.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
