[發(fā)明專利]一種鈮酸鋰光調(diào)制器及其制備與封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310606965.0
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN104460054B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱忻;王子昊;沈雷;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州矩陣光電有限公司
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035;G02B6/132
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11250
• 代理人: 張建綱

1.一種鈮酸鋰光調(diào)制器，其特征在于，包括波導(dǎo)芯片以及在所述波導(dǎo)芯片上端涂覆的保護材料和與外部光纖連接的波導(dǎo)線；

所述波導(dǎo)芯片包括鈮酸鋰基底，以及依次設(shè)置于所述鈮酸鋰基底上的非晶硅層、二氧化硅層和金屬電極；其中，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度，所述非晶硅層厚度為70nm-200nm，所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層共同構(gòu)成波導(dǎo)；所述二氧化硅層上成型有電極填充區(qū)域，所述金屬電極設(shè)置于所述電極填充區(qū)域內(nèi)；

所述波導(dǎo)線設(shè)置于所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰光調(diào)制器，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm-150nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈮酸鋰光調(diào)制器，其特征在于，所述二氧化硅層厚度為1um-2um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈮酸鋰光調(diào)制器，其特征在于，所述非晶硅層為氫化非晶硅層。

5.一種鈮酸鋰光調(diào)制器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:

S1：在鈮酸鋰基底表面沉積一層非晶硅材料，形成非晶硅層，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度，所述非晶硅層的厚度為70nm-200nm；

S2：在所述非晶硅層進行光刻顯影及刻蝕剝膠，形成波導(dǎo)；

S3：在所述波導(dǎo)上沉積一層二氧化硅，形成二氧化硅層；

S4：在所述二氧化硅層上刻蝕得到電極填充區(qū)域；

S5：在所述電極填充區(qū)域內(nèi)填充金屬，形成金屬電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈮酸鋰光調(diào)制器的制備方法，其特征在于，所述步驟S4包括：

S41：在所述二氧化硅層上依次設(shè)置剝離膠層和光阻劑層；在所述光阻劑層上描繪出電極填充區(qū)域的形狀；

S42：根據(jù)所述電極填充區(qū)域形狀進行干法刻蝕以形成電極填充區(qū)域；

所述步驟S5還包括：

剝離掉光阻劑層并去除所述電極填充區(qū)域之外的金屬，得到波導(dǎo)芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的鈮酸鋰光調(diào)制器的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm-150nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的鈮酸鋰光調(diào)制器的制備方法，其特征在于，所述非晶硅為氫化非晶硅。

9.一種權(quán)利要求1-4任一所述的鈮酸鋰光調(diào)制器的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟:

在所述波導(dǎo)芯片上涂覆保護材料；

在所述金屬電極上的保護材料外表面上設(shè)置保護結(jié)構(gòu)；

在所述波導(dǎo)線上包裹絕緣材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈮酸鋰光調(diào)制器封裝方法，其特征在于，所述絕緣材料為二氧化硅。