[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310606628.1 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN103872079B | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發明(設計)人: | 金勛;樸鎮宇;崔宰赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2012年12月14日向韓國知識產權局申請的標題為“有機發光二極管顯示器及其制造方法”的韓國專利申請10-2012-0146636的優先權和權益,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
實施方式涉及有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。
背景技術
由于有機發光二極管(OLED)顯示器以優異的視角、對比度、響應速度和能耗為特征,它的應用領域已經從例如MP3播放器和移動電話的個人便攜裝置擴大到電視。
發明內容
實施方式涉及到有機發光二極管顯示器,包括基板、布置在所述基板上并包括第一電極、有機發光膜和第二電極的疊層的有機發光單元,形成在所述基板上以覆蓋所述有機發光單元的第一無機膜,所述第一無機膜包括SnO2,和形成在所述第一無機膜上的第二無機膜,所述第二無機膜包括SnO并在頂表面包括SnO2,所述SnO的比例沿所述第二無機膜的頂表面到所述第一無機膜的方向增加。
所述第一無機膜和所述第二無機膜可進一步包括P2O5、BPO4、SnF2或WO3的一種或多種。
所述第二無機膜可形成以覆蓋所述第一無機膜和所述基板。
所述第二無機膜可直接形成在所述第一無機膜上。
所述第一無機膜和所述第二無機膜具有低于所述有機發光膜的改性溫度的從固態到液態的相變溫度。
所述第一無機膜和所述第二無機膜可通過熔融和固化處理。
所述第一無機膜可具有約100nm至約500nm的厚度。
實施方式還涉及制造有機發光二極管顯示器的方法,所述方法包括在基板上形成有機發光單元,在含氧條件下通過使用低溫相變(LPT)無機材料形成第一無機膜,以覆蓋所述有機發光單元;和在缺氧條件下通過使用所述LPT無機材料在所述第一無機膜上形成第二無機膜。
所述第一無機膜可包括SnO2。
所述LPT無機材料可包括SnO,SnO和P2O5的混合物,SnO和BPO4的混合物,SnO、SnF2和P2O5的混合物,SnO、SnF2、P2O5和NbO的混合物,或SnO、SnF2、P2O5和WO3的混合物。
可通過濺射法、氣相沉積法、低溫沉積法、等離子增強化學氣相沉積法、等離子體離子輔助沉積法、電子束涂布法或離子電鍍法中的一種或多種進行所述第一無機膜的形成和所述第二無機膜的形成。
可使用所述濺射法形成所述第一無機膜,并且,在使用所述濺射法形成所述第一無機膜時,氧和氬的注入量之間的比可為約0.005:1至約1:1。
可通過空氣中的氧來氧化所述第二無機膜的頂表面。
所述第一無機膜可具有約100nm至約500nm的厚度。
所述方法可進一步包括,在形成所述第二無機膜后,進行修復過程(healing process),并對所述顯示器進行后處理過程,其中在所述修復過程中,通過在高于它的相變溫度的溫度下加熱所述第一無機膜和所述第二無機膜以為所述第一無機膜和所述第二無機膜提供流動性。
所述后處理過程可包括化學處理、等離子體處理、高溫含氧室處理,高溫保濕室處理或表面摻雜中的一種或多種。
附圖說明
通過參照附圖詳細說明示例性實施方式,以上和其它特征與優點將變得更明顯,其中:
圖1為說明根據實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的截面示意圖;
圖2為說明圖1中顯示的部分A的部分截面圖;和
圖3為說明根據另一個實施方式的OLED顯示器的截面示意圖。
具體實施方式
以下將參考附圖更完整地描述示例性實施方式;但它們可以以不同形式實施且不應理解為僅限于在此陳述的實施方式。更確切地說,這些實施方式的提供使本公開更為徹底和完全,并將示例性的實施方式的范圍充分地呈現給本領域技術人員。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





