[發明專利]射頻模塊及其制造方法

無效

• 申請號: 201310606590.8
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103839929A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 崔丞镕
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/538;H01L23/04;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種RF模塊，包括：

RF?IC器件，用作主基板并且設置有通孔，所述RF?IC器件的上表面和下表面通過所述通孔彼此連接；

電子部件，安裝在所述RF?IC器件的所述上表面或所述下表面上；

模制材料，使所述電子部件被密封于其中以保護所述電子部件，并且形成在所述RF?IC器件的所述上表面或所述下表面上；以及

輔助基板，與所述RF?IC器件的所述上表面或所述下表面耦接，并且提供安裝除了被密封在所述模制材料中的所述電子部件之外的其他電子部件的位置。

2.根據權利要求1所述的RF模塊，其中，所述輔助基板設置有具有預定尺寸的通孔以在所述輔助基板中安裝所述其他電子部件。

3.一種制造RF模塊的方法，包括：

a）制備用作主基板的RF?IC器件；

b）在所述RF?IC器件中形成通孔并且利用導電材料填充所述通孔，所述RF?IC器件的上表面和下表面通過所述通孔彼此連接；

c）分別在所述RF?IC器件的兩個表面上形成金屬配線層以連接至所述通孔；

d）在所述RF?IC器件的一側的所述金屬配線層上安裝電子部件；

e）利用模制材料對安裝有所述電子部件的所述RF?IC器件的所述一側成模；

f）將設置有具有預定尺寸的通孔以便在其中安裝其他電子部件的輔助基板與所述RF?IC器件的另一表面耦接；以及

g）通過所述輔助基板的所述通孔在所述RF?IC器件的所述另一表面上安裝所述其他電子部件。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在步驟b）中，通過使用受激準分子激光或CO₂激光的干法蝕刻來形成所述通孔。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，在步驟b）中，填充在所述通孔中的所述導電材料是銅或銀。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，通過電鍍將所述銅填充在所述通孔中。

7.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：

為了在步驟d）中在所述RF?IC器件的所述一側的所述金屬配線層上安裝所述電子部件，在所述RF?IC器件的所述一側的所述金

屬配線層上形成凸塊。

8.根據權利要求3所述的方法，其中，步驟e）中的所述模制材料是熱固性樹脂或熱塑性樹脂。

9.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：

為了在步驟f）中將所述輔助基板與所述RF?IC器件的所述另一表面耦接，在所述RF?IC器件的所述另一表面的所述金屬配線層上形成凸塊。

10.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：

為了在步驟g）中在所述RF?IC器件的所述另一表面上安裝所述其他電子部件，在與所述輔助基板的所述通孔的區域對應的所述RF?IC器件的所述另一表面的所述金屬配線層上形成凸塊。