[發明專利]基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片

有效

• 申請號: 201310606571.5
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103579228A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/778
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，包括襯底（1），其特征是：在所述襯底（1）上表面設置相互分隔的左芯片（11）和右芯片（12），左芯片（11）和右芯片（12）分別包括設置在襯底（1）上表面的GaN層（2），在GaN層（2）上表面設置AlGaN層（4），在GaN層（2）和AlGaN層（4）之間形成二維電子氣（3）；在所述AlGaN層（4）上表面分別蒸鍍形成漏極金屬層（5）、源極金屬層（6）和柵極金屬層（7）；在所述右芯片（12）的柵極金屬層（7）上生長氫氣隔離層（8），氫氣隔離層（8）覆蓋柵極金屬層（7）的上表面和側面。

2.如權利要求1所述的基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，其特征是：所述漏極金屬層（5）和源極金屬層（6）為Ti/Al或Ti/Al/Ti/Au或Ti/Al/Ni/Au金屬層，漏極金屬層（5）和源極金屬層（6）與AlGaN層（4）形成歐姆接觸。

3.如權利要求1所述的基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，其特征是：所述柵極金屬層（7）為Pt金屬，柵極金屬層（7）與AlGaN層（4）形成肖特基接觸。

4.如權利要求1所述的基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，其特征是：所述氫氣隔離層（8）為SiO_2?或Si₃N₄。

5.如權利要求1所述的基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，其特征是：所述襯底（1）為藍寶石襯底、Si襯底或SiC襯底。