[發明專利]一種電機驅動芯片電流衰減模式控制電路

有效

• 申請號: 201310603683.5
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103701376B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 湛衍;黃武康;楊志飛;代軍;姚遠;王良坤;陳路鵬;夏存寶;萬巧玲
• 申請（專利權）人: 嘉興中潤微電子有限公司
• 主分類號: H02P8/12
• 分類號: H02P8/12
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司31220
• 代理人: 丁惠敏

1.一種電機驅動芯片的電流衰減模式檢測電路，其特征在于，包括電流衰減時間控制電路、數字邏輯控制電路、以及外接并聯電路；

所述電流衰減時間控制電路包括若干PMOS管、若干NMOS管、核心電路和電流鏡結構；使能信號通過所述PMOS管（MP5）的柵極接入所述電流衰減時間控制電路；

所述核心電路包括雙極型晶體管（Q0）、雙極型晶體管（Q1）、雙極型晶體管（Q2）、雙極型晶體管（Q3）、電阻（R0）、電阻（R1）、電阻（R2）和電阻（R3）；所述雙極型晶體管（Q0）的集電極連接至電源V_DD上，所述雙極型晶體管（Q0）基極的一側通過所述電阻（R0）和所述PMOS管（MP5）與所述電源V_DD相連，所述雙極型晶體管（Q0）基極的另一側通過所述電阻（R1）、所述電阻（R2）和所述NMOS管（MN1）與所述雙極型晶體管（Q0）的發射極相連；所述雙極型晶體管（Q1）的基極與所述雙極型晶體管（Q2）的發射極相連，所述雙極型晶體管（Q1）的發射極通過所述電阻（R3）與所述雙極型晶體管（Q3）的發射極相連；所述雙極型晶體管（Q2）的基極和集電極之間通過所述電阻（R2）相連；所述雙極型晶體管（Q3）的基極與集電極之間通過若干NMOS管相連；

所述電流鏡結構包括PMOS管（MP0）、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、PMOS管（MP3）和PMOS管（MP4），所述PMOS管（MP0）的柵極、所述PMOS管（MP1）的柵極、所述PMOS管（MP2）的柵極、所述PMOS管（MP3）的柵極和所述PMOS管（MP4）的柵極皆連接到偏置電流Ibias上；所述PMOS管（MP0）的源極、所述PMOS管（MP1）的源極、所述PMOS管（MP2）的源極、所述PMOS管（MP3）的源極和所述PMOS管（MP4）的源極皆連接到所述電源V_DD上；所述PMOS管（MP0）的漏極、所述PMOS管（MP1）的漏極、所述PMOS管（MP2）的漏極、所述PMOS管（MP3）的漏極和所述PMOS管（MP4）的漏極與所述核心電路相連；并在所述PMOS管（MP3）的漏極與所述NMOS管（MN4）的漏極之間輸出電壓V_A，在所述PMOS管（MP4）的漏極與所述NMOS管（MN5）的漏極之間輸出電壓V_B；

所述外接并聯電路連接在所述電流衰減時間控制電路的所述NMOS管（MN6）的漏極和源極之間，包括電阻（R_T）和電容（C_T），所述電阻（R_T）和所述電容（C_T）是并行連接的，在所述NMOS管（MN6）的漏極與所述完結并聯電路連接處輸出電壓V_c；所述外接并聯電路中的電阻（R_T）的電阻值在12kΩ-100kΩ之間；所述外接并聯電路中的電容（C_T）的電容值在470pF-1500pF之間；

所述數字邏輯控制電路包括比較器、鎖存器和邏輯門電路，所述數字邏輯控制電路的輸入信號分別為衰減信號、外接電壓V_PFD和所述輸出電壓V_A、V_B和V_C，所述輸出電壓V_C通過所述比較器與外接電壓V_PFD比較，將結果輸出到驅動模塊；所述輸出電壓V_A輸入到所述鎖存器中，所述輸入電壓V_B與所述衰減信號先經過所述邏輯門電路，再輸入到所述鎖存器中；從所述鎖存器輸出的信號一部分做為交換信號（switch）輸出，另外一部分輸出給所述Drive模塊；所述交換信號（switch）通過所述PMOS（MP8）柵極接入所述電流衰減時間控制電路。

2.如權利要求1所述的一種電機驅動芯片的電流衰減模式檢測電路，其中，當所述輸出電壓V_A處于低電平時，電機的線圈電流處于上升階段，當所述輸出電壓V_A處于高電平時，電機的線圈電流處于衰減階段。

3.如權利要求1所述的一種電機驅動芯片的電流衰減模式檢測電路，其中，當所述輸出電壓V_B處于低電平時，對所述衰減信號進行保持；當所述輸出電壓V_B處于高電平是，對所述衰減信號進行屏蔽。