[發明專利]利用單圖案化隔離件技術的雙圖案化技術有效
| 申請號: | 201310603660.4 | 申請日: | 2011-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN103745921A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 陳皇宇;謝艮軒;歐宗樺;范芳瑜;侯元德;謝銘峰;劉如淦;魯立忠 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 圖案 隔離 技術 | ||
1.一種形成集成電路結構的方法,所述方法包括:
提供晶片;
提供光刻掩模;
利用所述光刻掩模在所述晶片上形成第一多個部件;
在所述第一多個部件的側壁上形成側壁隔離件,其中,所述側壁隔離件包圍多個空間;以及
填充所述多個空間以形成第二多個部件。
2.根據權利要求1所述的方法,在形成所述第二多個部件的步驟之后還包括:移除所述側壁隔離件。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一多個部件和所述第二多個部件是金屬線。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第二多個部件包括從上向下觀看時所見的刺狀部,并且其中所述刺狀部指向所述第一多個部件中的相鄰兩個部件之間的空間。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,形成所述側壁隔離件的步驟包括:
在所述晶片上并且在所述第一多個部件上覆蓋形成隔離件層;以及
蝕刻所述隔離件層以移除所述隔離件層的水平部分,其中,在所述隔離件層的水平部分被移除之后,剩余由所述側壁隔離件包圍的所述多個空間。
6.一種裝置,包括:
晶片;
第一多個部件,位于所述晶片上;以及
第二多個部件,位于與所述第一多個部件相同水平處,其中,所述第二多個部件包括從上向下觀看時所見的所述晶片的刺狀部。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述第二多個部件的刺狀部指向所述第一多個部件中的相鄰兩個部件之間的空間。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中,所述第二多個部件的刺狀部均不指向所述第一多個部件的非空間部分。
9.根據權利要求6所述的裝置,其中,每個所述第二多個部件均被所述第一多個部件的部分包圍。
10.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述第一多個部件還包括圓角角部,以及其中,所述刺狀部的側壁沿著所述第一多個部件中的面向所述刺狀部的側壁的相應部件的側壁的輪廓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





