[發明專利]光柵位置的測量方法

有效

• 申請號: 201310603470.2
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103592823A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 李立文;崔小鋒;方佼;周文林
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G01B11/00;G01B15/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種光柵位置的測量方法，其特征在于，包括：

提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺標記圖案；

使用光柵與所述光刻版模板對一測試樣品進行光刻工藝，以在所述測試樣品上形成與所述刻度尺標記圖案對應的刻度尺標記；

將所述刻度尺標記的邊緣的刻度與一標準刻度進行比較，以確定所述光柵的位置是否正常；

其中，將所述刻度尺標記的邊緣的刻度與一標準刻度進行比較的步驟包括；

根據所述光柵以及所述光刻版模板設定所述標準刻度；

對所述刻度尺標記的邊緣的刻度進行讀數；

若所述刻度尺標記的邊緣的刻度在所述標準刻度的范圍之內，則所述光柵位置正常；若所述刻度尺標記的邊緣的刻度不在所述標準刻度的范圍之內，則所述光柵位置不正常。

2.如權利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，采用電子顯微鏡或光學顯微鏡，對所述刻度尺標記的邊緣的刻度進行讀數。

3.如權利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述刻度尺標記包括多個X軸刻度線以及多個Y軸刻度線，所述X軸刻度線分別與Y軸刻度線相交。

4.如權利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，將所述刻度尺標記的邊緣的刻度與一標準刻度進行比較的步驟還包括：

若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量相同，或所述X軸刻度線在X軸負方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量相同，則所述光柵的位置只發生偏移、未發生偏轉；

若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量不相同，或所述X軸刻度線在X軸負方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量不相同，或所述Y軸刻度線在Y軸負方向的邊緣的刻度偏離所述標準刻度的矢量不相同，則所述光柵的位置發生偏轉。

5.如權利要求4所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述光柵的位置只發生偏移、未發生偏轉，將所述刻度尺標記的邊緣的刻度與一標準刻度進行比較的步驟還包括：

若所述X軸刻度線在X軸正方向的邊緣的刻度小于所述標準刻度，則所述光柵向X軸負方向偏移；

若所述X軸刻度線在X軸負方向的邊緣的刻度小于所述標準刻度，則所述光柵向X軸正方向偏移；

若所述Y軸刻度線在Y軸正方向的邊緣的刻度小于所述標準刻度，則所述光柵向Y軸負方向偏移；

若所述Y軸刻度線在Y軸負方向的邊緣的刻度小于所述標準刻度，則所述光柵向Y軸正方向偏移。

6.如權利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數量均為2N+1條，N為正整數，所述2N+1條X軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條X軸刻度線為第一對稱軸，所述2N+1條Y軸刻度線呈軸對稱分布，其中第N+1條Y軸刻度線為第二對稱軸；所述第一對稱軸和第二對稱軸的交叉位置與所述光刻版模板的中心點重合。

7.如權利要求6所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線和Y軸刻度線的數量均為3條。

8.如權利要求3所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述X軸刻度線與光刻版模板的中心點的最大距離在16mm以下，所述Y軸刻度線與光刻版模板的中心點的最大距離在6.5mm以下。

9.如權利要求1所述的光柵位置的測量方法，其特征在于，所述刻度尺標記的邊緣為所述刻度尺標記開始變色處的位置。