[發明專利]肖特基二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 201310603464.7
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103594524A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 郭廣興;劉憲成;梁廳;丁伯繼
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：

半導體襯底；

外延層，位于所述半導體襯底的一側；

保護環，位于背離所述半導體襯底一側的所述外延層中；

凹槽，位于所述外延層背離所述半導體襯底一側的表面，所述保護環包圍所述凹槽，并與所述凹槽通過所述外延層相隔離，所述凹槽的深度小于所述保護環的深度。

2.如權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管還包括：

鈍化層，位于所述外延層背離所述半導體襯底一側，所述鈍化層具有一引線孔，所述保護環圍繞所述引線孔；

勢壘合金層，位于所述引線孔中的所述外延層上；

正面電極，位于所述勢壘合金層上；

背面電極，位于所述半導體襯底背離所述外延層的一側。

3.如權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為二氧化硅。

4.如權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述勢壘合金層的厚度為

5.如權利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述保護環的深度的三分之二。

6.如權利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度比所述保護環的深度小0.6μm～1.6μm。

7.如權利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度為0.6μm～0.8μm。

8.如權利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述保護環的深度為1.2μm～2μm。

9.如權利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述保護環的內徑與所述凹槽之間的距離為15μm～30μm。

10.一種肖特基二極管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底的一側具有一外延層；

在所述外延層背離所述半導體襯底的一側形成一阻擋層，所述阻擋層具有一開口；

對所述半導體襯底進行熱氧化工藝，以在所述開口處的所述外延層表面形成一凹槽，所述凹槽內具有局部氧化層；

去除所述阻擋層以及局部氧化層；

在背離所述半導體襯底一側的所述外延層中形成一保護環；

其中，所述保護環包圍所述凹槽，并與所述凹槽通過所述外延層相隔離，所述凹槽的深度小于所述保護環的深度。

11.如權利要求10所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述在背離所述半導體襯底一側的所述外延層中形成一保護環的步驟包括：

在所述外延層背離所述半導體襯底一側形成一鈍化層；

在所述外延層形成一環形窗口，所述環形窗口的內徑大于所述凹槽的寬度；

以所述環形窗口為掩膜，對所述外延層進行離子注入，以形成所述保護環。

12.如權利要求11所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述肖特基二極管的制作方法還包括：

在所述外延層形成一引線孔，所述保護環圍繞所述引線孔；

在所述引線孔中的所述外延層上形成一勢壘合金層；

在所述勢壘合金層上形成一正面電極，在所述半導體襯底背離所述外延層的一側形成一背面電極。

13.如權利要求12所述的肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為二氧化硅。

14.如權利要求12所述的肖特基二極管，其特征在于，所述勢壘合金層的厚度為

15.如權利要求11-14中任意一項所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述阻擋層包括一氧化層和一氮化層，所述氮化層位于所述氧化層背離所述外延層的一側。

16.如權利要求15所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述在所述外延層背離所述半導體襯底的一側形成一阻擋層，所述阻擋層具有一開口的步驟包括：

在所述外延層背離所述半導體襯底的一側形成所述氧化層；

在所述氧化層背離所述外延層的一側形成所述氮化層；

對所述氮化層進行光刻工藝，在所述氮化層上形成開口圖案；

以所述開口圖案為掩膜，依次對所述氮化層和氧化層進行刻蝕，以形成所述開口。