[發(fā)明專利]肖特基二極管及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310603464.7 | 申請日： | 2013-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN103594524A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭廣興;劉憲成;梁廳;丁伯繼 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州士蘭集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 肖特基 二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底；
外延層，位于所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)；
保護(hù)環(huán)，位于背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的所述外延層中；
凹槽，位于所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的表面，所述保護(hù)環(huán)包圍所述凹槽，并與所述凹槽通過所述外延層相隔離，所述凹槽的深度小于所述保護(hù)環(huán)的深度。
2.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管還包括：
鈍化層，位于所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)，所述鈍化層具有一引線孔，所述保護(hù)環(huán)圍繞所述引線孔；
勢壘合金層，位于所述引線孔中的所述外延層上；
正面電極，位于所述勢壘合金層上；
背面電極，位于所述半導(dǎo)體襯底背離所述外延層的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為二氧化硅。
4.如權(quán)利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述勢壘合金層的厚度為
5.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述保護(hù)環(huán)的深度的三分之二。
6.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度比所述保護(hù)環(huán)的深度小0.6μm～1.6μm。
7.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述凹槽的深度為0.6μm～0.8μm。
8.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述保護(hù)環(huán)的深度為1.2μm～2μm。
9.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述保護(hù)環(huán)的內(nèi)徑與所述凹槽之間的距離為15μm～30μm。
10.一種肖特基二極管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)具有一外延層；
在所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)形成一阻擋層，所述阻擋層具有一開口；
對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行熱氧化工藝，以在所述開口處的所述外延層表面形成一凹槽，所述凹槽內(nèi)具有局部氧化層；
去除所述阻擋層以及局部氧化層；
在背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的所述外延層中形成一保護(hù)環(huán)；
其中，所述保護(hù)環(huán)包圍所述凹槽，并與所述凹槽通過所述外延層相隔離，所述凹槽的深度小于所述保護(hù)環(huán)的深度。
11.如權(quán)利要求10所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述在背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)的所述外延層中形成一保護(hù)環(huán)的步驟包括：
在所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底一側(cè)形成一鈍化層；
在所述外延層形成一環(huán)形窗口，所述環(huán)形窗口的內(nèi)徑大于所述凹槽的寬度；
以所述環(huán)形窗口為掩膜，對所述外延層進(jìn)行離子注入，以形成所述保護(hù)環(huán)。
12.如權(quán)利要求11所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述肖特基二極管的制作方法還包括：
在所述外延層形成一引線孔，所述保護(hù)環(huán)圍繞所述引線孔；
在所述引線孔中的所述外延層上形成一勢壘合金層；
在所述勢壘合金層上形成一正面電極，在所述半導(dǎo)體襯底背離所述外延層的一側(cè)形成一背面電極。
13.如權(quán)利要求12所述的肖特基二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為二氧化硅。
14.如權(quán)利要求12所述的肖特基二極管，其特征在于，所述勢壘合金層的厚度為
15.如權(quán)利要求11-14中任意一項所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述阻擋層包括一氧化層和一氮化層，所述氮化層位于所述氧化層背離所述外延層的一側(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述在所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)形成一阻擋層，所述阻擋層具有一開口的步驟包括：
在所述外延層背離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)形成所述氧化層；
在所述氧化層背離所述外延層的一側(cè)形成所述氮化層；
對所述氮化層進(jìn)行光刻工藝，在所述氮化層上形成開口圖案；
以所述開口圖案為掩膜，依次對所述氮化層和氧化層進(jìn)行刻蝕，以形成所述開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
