[發明專利]拋光墊修整器結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201310603381.8
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN104097146A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 沈汶諺;鐘潤文;魏匡靈;戴子軒;呂權浪
• 申請（專利權）人: 鑫晶鑽科技股份有限公司
• 主分類號: B24B53/017
• 分類號: B24B53/017;H01L21/30
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種拋光墊修整器結構，其特征在于，包含：

一藍寶石芯片本體，為具有一特定軸向的芯片，且其上表面上具有多個微結構；以及

一保護層，為一鉆石膜或一類鉆碳膜，覆蓋該藍寶石本體的上表面，

其中該特定軸向為a軸向、c軸向、r軸向、m軸向、n軸向以及v軸向的其中之一，且所述微結構的高度誤差小于一平均高度的5％。

2.如權利要求1所述的拋光墊修整器結構，其特征在于，進一步包含一緩沖層，該緩沖層設置在該藍寶石芯片本體以及該保護層之間。

3.如權利要求2所述的拋光墊修整器結構，其特征在于，該緩沖層為鈦、鉑、銅、鉻、鎳、氮化硅、氮氧化硅、摻雜鈦的氧化鋁、氧化鈦、氧化鋁氧化鈦混合物，以及石墨的至少其中之一。

4.如權利要求1所述的拋光墊修整器結構，其特征在于，所述微結構的外觀形狀為對稱平頭錐柱、對稱尖頭錐柱、不對稱平頭錐柱，或不對稱尖頭錐柱。

5.一種拋光墊修整器結構的制作方法，其特征在于，包含：

一芯片單元形成步驟，將原料在高溫爐熔料后，在特定軸向對晶種拉晶，而形成一特定軸向的一晶棒，再將該晶棒切片得到具有該特定軸向的一藍寶石芯片；

一影像轉移步驟，在該藍寶石芯片的一上表面上以影像轉移的方式，形成多個微結構，完成一藍寶石芯片本體；

一保護層形成步驟，在該藍寶石芯片本體的該上表面上形成一保護層，完成該拋光墊修整器結構；以及

至少一熱處理步驟，將具有該寶石芯片本體放入一高溫爐中進行一熱處理，以修復晶格缺陷及／或增加保護層附著力，該至少熱處理步驟在該影像轉移步驟后，或／及保護層形成步驟后進行，

其中該特定軸向為a軸向、c軸向、r軸向、m軸向、n軸向以及v軸向的其中之一，且所述微結構的高度誤差小于一平均高度的5％。

6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，該保護層形成步驟是以濺鍍、有機金屬化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、脈沖雷射沉積，以及電弧離子蒸鍍的其中之一形成該保護層于該藍寶石芯片本體的該上表面。

7.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述微結構的外觀形狀為對稱平頭錐柱、對稱尖頭錐柱、不對稱平頭錐柱，或不對稱尖頭錐柱。

8.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，進一步在保護層形成步驟之前先進行一緩沖層形成步驟，在該藍寶石芯片本體的上表面先形成一緩沖層，其中該緩沖層是以蒸鍍、濺鍍、MOCVD、PECVD、LPCVD、PLD以及AIP的其中之一所形成。

9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，該緩沖層為鈦、鉑、銅、摻雜鈦的氧化鋁、氧化鈦、氧化鋁氧化鈦混合物，以及石墨的至少其中之一。

10.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，該熱處理步驟是將完成該影像轉移步驟后的該藍寶石芯片，放入一高溫爐中，升溫至1000℃～1800℃維持1～8小時后爐冷。

11.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，進一步在該緩沖層形成步驟前或／后再進行一熱處理步驟。