[發明專利]非易失性存儲器結構及其制造工藝

有效

• 申請號: 201310603377.1
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN103904082A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 陳緯仁;徐德訓;陳志欣
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種非易失性存儲器，其特征在于，包括：

一第一導電型的半導體基底，其上具有一第一有源區、一第二有源區及一第三有源區，沿著一第一方向成列排列，其中該第一、第二及第三有源區是由一隔離區相互隔開，其中該隔離區包括位于該第一有源區及該第二有源區之間的第一中介隔離區以及位于該第二有源區及該第三有源區之間的第二中介隔離區；

一選擇柵晶體管，位于該第一有源區上，其中該選擇柵晶體管具有一選擇柵，沿著一第二方向延伸；以及

一浮柵晶體管，位于該第二有源區上，其中，該浮柵晶體管與該選擇柵晶體管串接在一起，且該浮柵晶體管包括一浮柵，該浮柵是完全重疊覆蓋住下方的該第二有源區并部分重疊該第一及第二中介隔離區。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該選擇柵晶體管還包括一第二導電型的源極區與漏極區，該源極區是位于一第三導電型的離子阱中，且該源極區與漏極區是相互分隔，一溝道區是位于該源極區與漏極區之間，該選擇柵是位于該溝道區上方，以及一柵極介電層，位于該選擇柵與該溝道區之間。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，該源極區耦合于一源極線。

4.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，該浮柵晶體管通過該漏極區串接該選擇柵晶體管。

5.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，該選擇柵晶體管還包括一對間隙壁，位于該選擇柵的相對側壁。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器，其特征在于，該選擇柵晶體管還包括一輕摻雜漏極區是直接位于各該間隙壁的下方。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該浮柵的整個周緣是直接位于該隔離區正上方。

8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該第一方向垂直該第二方向。

9.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于該半導體基底中還包括具有該第二導電型的一第一阱，其中該第一阱包圍該第一中介隔離區。

10.根據權利要求9所述的非易失性存儲器，其特征在于該浮柵晶體管通過該第一阱耦合于該選擇柵晶體管的漏極區，該第一阱在該第二有源區內與該浮柵部分重疊且在該第一有源區內與該漏極區部分重疊。

11.根據權利要求10所述的非易失性存儲器，其特征在于該半導體基底還包括具有該第二導電型的一第二阱，其中該第二阱包圍該第二中介隔離區。

12.根據權利要求11所述的非易失性存儲器，其特征在于該浮柵晶體管通過該第二阱耦合于該第三有源區的漏極區，該第二阱在該第二有源區內與該浮柵部分重疊且在該第三有源區內與該漏極區部分重疊。

13.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于還包括一控制柵，層疊于該浮柵上。

14.根據權利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于該第一導電型為P型，該第二導電型為N型，且該第三導電型為P型。

15.根據權利要求11所述的非易失性存儲器，其特征在于該第一導電型為P型，該第二導電型為P型，且該第三導電型為N型，其中一深N型區是位于該半導體基底，用來隔離該第二導電型的該第一阱及第二阱。