[發明專利]一種測試IGBT模塊結構性阻抗的方法有效

申請號：	201310603333.9	申請日：	2013-11-21
公開（公告）號：	CN103604999A	公開（公告）日：	2014-02-26
發明（設計）人：	張強	申請（專利權）人：	西安永電電氣有限責任公司
主分類號：	G01R27/14	分類號：	G01R27/14
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	常亮
地址：	710016 陜西省***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種測試 igbt 模塊結構性阻抗方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體器件測試技術領域，尤其涉及一種測試IGBT模塊結構性阻抗的方法。

背景技術

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，全文簡稱IGBT）具有高頻率、高電壓、大電流、尤其是容易開通和關斷的性能特點，是國際上公認的電力電子技術第三次革命的最具代表性的產品，至今已經發展到第六代，商業化已發展到第五代。目前，IGBT已廣泛應用于國民經濟的各行各業中。

IGBT模塊主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中。當今以IGBT模塊為代表的新型電力電子器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，現已廣泛應用于電力機車、高壓輸變電、電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源等領域，市場前景非常好。

IGBT模塊各個參數的準確測試是各個廠商必須完成的，對于大功率IGBT模塊來說，IGBT模塊由于模塊生產過程中必須采用鍵合線、功率電極等方法實現電氣連接，這種連接方式會在功率回路中形成一個小的阻抗，這種IGBT模塊結構性阻抗會影響到用戶系統設計中的仿真計算、功率損耗、串聯均壓、并聯均流等，所以提供準確的IGBT模塊結構性阻抗對于用戶是非常重要的，而各IGBT廠商皆將IGBT模塊結構性阻抗的測試方法作為技術秘密。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種測試IGBT模塊結構性阻抗的方法，采用電路對特殊結構的模塊進行測試，可以準確的測試出IGBT模塊結構性阻抗的大小，為用戶提供參考。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明的測試IGBT模塊結構性阻抗的方法，在閉合直流電路中進行測試，具體包括下述步驟：

（1）在閉合直流電路中接入正常IGBT模塊U1，電流I條件下進行飽和壓降的測試，得到飽和壓降值Vcesat1；

（2）在其他電路參數不變的條件下，串聯接入特殊IGBT模塊U2，與正常IGBT模塊U1通過鍍金母排相連接，與步驟（1）相同的電流條件下進行飽和壓降的測試，得到飽和壓降值Vcesat2；

（3）計算得到IGBT模塊結構性阻抗值R，R=（Vcesat2-Vcesat1）/I；

其中，所述的特殊IGBT模塊U2為去除了IGBT芯片的正常IGBT模塊，直接將鍵合線連接在陶瓷基板上的導電層上，其他部分結構不改變；所述的電流I值根據顯示電壓值3～15V與預估的IGBT模塊結構性阻抗R值的比值預設。

優選的，步驟（1）和步驟（2）中同步的對飽和壓降進行多次測試，步驟（3）中對R值取平均值。

優選的，所述的電流I值根據顯示電壓值3～5V與預估的IGBT模塊結構性阻抗R值的比值預設。

進一步的，所述的電流I值設定為3000A。

通過本發明的測試IGBT模塊結構性阻抗的方法，能夠高精度的測試出IGBT模塊的結構性阻抗，該方法簡單易操作，提高了新產品參數測試的效率。