[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310601919.1 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN104659260A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述散射層由金屬摻雜層和三元摻雜層組成,所述金屬摻雜層包括金屬材料及摻雜在所述金屬材料中的所述發(fā)光材料,所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV,所述發(fā)光材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種,所述三元摻雜層包括銫鹽材料,鐵鹽材料和錸的化合物材料,所述銫鹽材料選自氟化銫、碳酸銫、疊氮銫及氯化銫中至少一種,所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種,所述錸的化合物材料選自七氧化二錸、二氧化錸,三氧化錸及氯化錸中至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述金屬摻雜層的厚度為20nm~100nm,所述三元摻雜層的厚度為50nm~300nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為2:1~10:1,所述三元摻雜層中所述銫鹽材料,鐵鹽材料和錸的化合物材料的質(zhì)量比為(0.2~0.5):(3~10):1。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層,所述散射層由金屬摻雜層和三元摻雜層組成,在所述玻璃基底表面采用熱阻蒸鍍制備金屬摻雜層,所述金屬摻雜層包括金屬材料及摻雜在所述金屬材料中的所述發(fā)光材料,所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV,所述發(fā)光材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種,在所述金屬摻雜層表面通過熱阻蒸鍍制備三元摻雜層,所述三元摻雜層包括銫鹽材料,鐵鹽材料和錸的化合物材料,所述銫鹽材料選自氟化銫、碳酸銫、疊氮銫及氯化銫中至少一種,所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種,所述錸的化合物材料選自七氧化二錸、二氧化錸,三氧化錸及氯化錸中至少一種;
在所述散射層表面磁控濺射制備陽極,所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物;及
在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
7.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述金屬摻雜層的厚度為20nm~100nm,所述三元摻雜層的厚度為50nm~300nm。
8.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為2:1~10:1,所述三元摻雜層中所述銫鹽材料,鐵鹽材料和錸的化合物材料的質(zhì)量比為(0.2~0.5):(3~10):1。
9.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,工作電流為1A~5A,有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





