[發明專利]基于質子交換膜的燃料電池型CO傳感器及其制備方法無效
| 申請號: | 201310600564.4 | 申請日: | 2013-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN103592352A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 盧革宇;梁喜雙;劉英偉 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | G01N27/407 | 分類號: | G01N27/407 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人: | 張景林;王恩遠 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 質子 交換 燃料電池 co 傳感器 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于氣體傳感器技術領域,具體涉及一種基于質子交換膜的燃料電池型CO傳感器及其制備方法,該傳感器主要用于室內CO氣體的檢測。
背景技術
一氧化碳(CO)是一種無色、無臭、無味的氣體,空氣中的一氧化碳通過呼吸系統進入人體與血液中的血紅蛋白結合,其不僅降低血球攜帶氧的能力,而且還抑制、延緩氧血紅蛋白的解析與釋放,導致機體組織因缺氧而壞死,嚴重者則可能危及人的生命。因此,對大氣中(尤其是室內環境中)的一氧化碳檢測尤為重要,必須開發出適于室內檢測用的高性能一氧化碳氣體傳感器。市面上的CO傳感器主要有電化學式和半導體式兩種。電化學式氣體傳感器擁有很多優點,對檢測氣體有很好的選擇性和較高的靈敏度。但是,這一類傳感器造價高而且壽命短,同時由于這類傳感器廣泛使用液態電解質,其電解質溶液的泄漏可能會腐蝕器件。在使用過程中,溶劑含量因揮發和反應等因素發生變化,導致電解質的濃度改變,使器件失效。半導體式CO傳感器主要是金屬氧化物SnO2氣體傳感器,其優點為靈敏度高、響應速度快、價格便宜、壽命長,但是這類傳感器長時間使用后會發生零點漂移,敏感度下降的現象,而且需要高溫工作,因此功耗高,且在檢測CO這種可燃性氣體時,一旦CO氣體濃度達到爆炸極限,器件就有成為引爆源的危險。為了克服現有傳感器的不足,必須開發高性能的新型CO氣體傳感器。
發明內容
本發明根據燃料電池的反應原理,目的在于提供一種新原理、新結構傳感器,在常溫下實現對CO的高靈敏度檢測。具體涉及一種基于質子交換膜(Nafion)的燃料電池型CO傳感器,由核心部分(1)與儲水罐(2)組成;其中核心部分(1)從上至下依次由擴散帽(3)、活性炭過濾層(5)、一側帶有Pt敏感電極(7)和另一側帶有對電極(8)的Nafion膜(6)、集電層(9)組成,儲水罐(2)為帶有集電層卡槽(11)的儲水槽(12),在擴散帽(3)上設置氣體擴散孔(4),在集電層(9)上設置有給水孔(10),活性炭過濾層(5)安裝在擴散帽(3)內,擴散帽(3)將活性炭過濾層(5)、Nafion膜(6)和集電層(9)壓緊并固定和限位在集電層卡槽(11)上,擴散帽(3)與儲水罐(2)間密封且絕緣。其結構示意圖如附圖1所示。
傳感器的制作過程如下:
一、傳感器外殼的設計與制作
1.制作導電的儲水罐(2)、擴散帽(3)和集電層(9);
其中,儲水罐(2)包括集電層卡槽(11)和儲水槽(12);擴散帽(3)是一個中空的帽子狀結構部件,頂部含有多個擴散孔(4),內部裝有活性炭過濾層(5);集電層(9)是一個帶有給水孔(10)的薄片;
二、Nafion膜Pt電極的制備
利用化學沉淀法制備Nafion膜的Pt電極,其制作過程如下:
A.Nafion膜的預處理
(1)將Nafion膜置于H2O2溶液中(質量分數3~8%),水浴加熱1~2小時(水浴溫度50~100℃),取出后用去離子水沖洗3~5次;
(2)將上述步驟得到的Nafion膜放入H2SO4溶液(濃度0.2~1M)中水浴加熱1~2小時,取出后用去離子水沖洗3~5次;
(3)將上述步驟得到的Nafion膜浸入去離子水中,水浴加熱30~60分鐘,取出后用去離子水沖洗3~5次;
(4)重復步驟(3)3~5次,從而得到處理過的Nafion膜,放入去離子水中密封保存。
B.Nafion膜Pt電極的制備
(1)將預處理過的Nafion膜在20~40℃下干燥;
(2)將烘干的Nafion膜固定在分隔池中間,如附圖3所示,分離池由貴金屬溶液槽(13)和還原劑溶液槽(14)組成,兩槽間由Nafion膜(6)完全分隔;
(3)將H2PtCl6溶液(5~20mM)和NaBH4溶液(40~70mM)分別加入到Nafion膜兩側的溶液槽中,常溫下靜置反應8~10小時,從而在接觸H2PtCl6溶液一側的Nafion膜(6)表面生長出一層厚度為5~20μm的Pt敏感電極(7);
(4)調轉Nafion膜(6)的方向,重復操作步驟(3),可在Nafion膜(6)的另一側生長一層厚度為5~20μm?Pt對電極(8);
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于吉林大學,未經吉林大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310600564.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電路板清潔裝置
- 下一篇:線路板雙面文字印刷結構





