[發明專利]一種半導體發光二極管芯片有效
| 申請號： | 201310598862.4 | 申請日： | 2013-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN103618042A | 公開（公告）日： | 2014-03-05 |
| 發明（設計）人： | 金豫浙;馮亞萍;張溢;李佳佳;李志聰;孫一軍;王國宏 | 申請（專利權）人： | 揚州中科半導體照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 發光二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管芯片，其特征在于包括在長方形基板上依次設置的N型半導體層、發光復合層和P型半導體層，在P型半導體層的中部經刻蝕裸露出的N型半導體層；長方形基板上的兩側的P型半導體層上分別設置P焊盤和N焊盤；在P焊盤和N焊盤區域外的P型半導體層上設置電流阻擋層，在電流阻擋層上設置電流擴展層；
在與P焊盤和N焊盤對應的P型半導體層上分別設置圖形化電流擴展層，在圖形化電流擴展層上分別設置電絕緣層；在P焊盤的背部、N焊盤的背部分別設置反射器；
在所述電流擴展層上設置至少兩組圖形化的P擴展電極，各P擴展電極分別與P焊盤電連接；
N焊盤電連接有N擴展電極，所述N擴展電極布置且接觸在裸露出的N型半導體層上，P擴展電極接觸在電流擴展層上。
2.根據權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于所述圖形化電流擴展層為表面呈網點狀圓孔的電流擴展層，所述圓孔的直徑小于10um。
3.根據權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于所述長方形基板的窄邊小于300um。
4.根據權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于所述反射器為介質層，或鋁層，或鉑層。
5.根據權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于所述電絕緣層為鋁的氮化物，或鋁的氧化物，或硅的氧化物，或硅的氮化物層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于揚州中科半導體照明有限公司，未經揚州中科半導體照明有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310598862.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種車載集裝箱式移動儲能設備
- 下一篇：一種白光二極管
