[發明專利]一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器在審
| 申請號: | 201310598844.6 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN103618543A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 蘇州貝克微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0948 | 分類號: | H03K19/0948 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215011 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ttl 電平 輸入 高速 cmos 緩沖器 | ||
1.一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:在一種CMOS集成電路中至少有一個門是設計在一個預定輸出參考電平轉換且和其他大量門在一個通用電源中工作,改進的補償將所述門在從通用電源中分離的穩壓電位中工作且不同于工作溫度和制程參數的變化,所述由一個代表性運行門確定的調節的電勢具有的輸入端子耦合到一個TTL兼容的參考電位。
2.根據權利要求1所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述穩壓電位從穩壓器電路中獲得,其包括:可變導通元件,耦合在所述公共電源和所述門由此可以改變所述門的開關電平;以及用于所述導通元件不同的電導響應于所述代表工作門和所述參考電平電位的輸出電位之間的差異的變化。
3.根據權利要求2所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述用于改變包括第二運行門和典型的運行門級聯耦合且具有大量的擴增。
4.根據權利要求3所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述第二運行門具有的有源器件產生大量的電平移位,從而產生接近所述公共供電比值的電平VCC的額定輸出高電平。
5.根據權利要求2所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:其中所述的改進裝置,用于改變的方法包括一個差分運算放大器,其具有的一個輸出端耦合到所述可變導通元件,一個反相輸入端耦合到所述典型運行門的輸出且一個非反相輸入端耦合到一個代表所需運行門的運行電平的輸出電勢。
6.根據權利要求5所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述可變電導導通元件是一個NPN雙極型晶體管。
7.根據權利要求5所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述可變電導導通元件是一個N-溝道的場效應晶體管。
8.根據權利要求5所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述可變電導通元件是一個P溝道的場效應晶體管。
9.根據權利要求1所述的一種TTL電平輸入的高速CMOS緩沖器,其特征是:所述結構包括一門陣列,其中多個門制造且多個開關的閾值是從屬于所述代表性的運行門。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州貝克微電子有限公司,未經蘇州貝克微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310598844.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





