[發(fā)明專利]一種局部放電減弱的高壓IGBT模塊及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310598353.1
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103594505A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹琳
• 申請（專利權(quán)）人: 西安永電電氣有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種局部放電減弱的高壓IGBT模塊的制造方法，其特征在于，包括下述步驟：

（1）提供一電絕緣襯底，在所述電絕緣襯底的兩個表面上分別設(shè)置導(dǎo)電層，使得所述電絕緣襯底的周邊頂部區(qū)域不被所述的導(dǎo)電層覆蓋，形成表面無導(dǎo)電物的襯底露出端；

（2）在除了所述襯底露出端表面以外的其他區(qū)域設(shè)置掩膜層，沉積半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層，去除所述的掩膜層及其上的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層，使得所述的襯底露出端為半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層所包覆，連通兩側(cè)導(dǎo)電層；

（3）將半導(dǎo)體芯片接合到一側(cè)的導(dǎo)電層上，另一側(cè)的導(dǎo)電層通過阻焊層接合到底板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜為a-Si:H、a-Ge:H、a-SiGe:H、a-SiC:H。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層厚度為300nm，電導(dǎo)率為10⁵Ω.cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜為a-Si:H。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述的a-Si:H薄膜層通過射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積而成。

6.一種局部放電減弱的高壓IGBT模塊，包括：

電絕緣襯底；

設(shè)置在所述電絕緣襯底兩個表面上的導(dǎo)電層，所述電絕緣襯底的周邊頂部區(qū)域不被所述的導(dǎo)電層覆蓋，形成表面無導(dǎo)電物的襯底露出端；

接合在一側(cè)導(dǎo)電層上的至少一個半導(dǎo)體芯片；

通過阻焊層接合在另一側(cè)導(dǎo)電層上的底板；

其特征在于：所述的襯底露出端為半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層所包覆，連通所述電絕緣襯底兩側(cè)的導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓IGBT模塊，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜為a-Si:H、a-Ge:H、a-SiGe:H、a-SiC:H。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓IGBT模塊，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜為a-Si:H。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓IGBT模塊，其特征在于：所述的半導(dǎo)體氫化非晶薄膜層厚度為300nm，電導(dǎo)率為10⁵Ω.cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓IGBT模塊，其特征在于：所述的電絕緣襯底為AlN陶瓷；所述的導(dǎo)電層為敷銅板；所述的底板為AlSiC。