[發明專利]用連接片實現連接的半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 201310598205.X
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN103824784B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 魯軍;劉凱;薛彥迅
• 申請（專利權）人: 萬國半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供數個芯片，所述的芯片包括數個頂部接觸區；

步驟2：提供數個連接片，每個連接片分別連接芯片之間對準排布的頂部接觸區，從而固定數個芯片；

步驟3：提供一塑封體，所述的塑封體封裝芯片及連接片；

步驟4：分割連接片。

2.如權利要求1所述的用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，在步驟2中，每個連接片在連接芯片之間對準排布的頂部接觸區時，連接片上具有在芯片表面垂直方向上并高出芯片表面的連接片連筋凸起區域。

3.如權利要求2所述的用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，在步驟4中，在塑封體的頂層通過淺層切割連接片連筋凸起區域，形成切割溝渠，所述的切割溝渠將數個連接芯片頂部接觸區的連接片分割為各個相互絕緣的連接片部分。

4.如權利要求2所述的用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，在步驟4中，研磨塑封體的頂部，磨斷所述的連接片連筋凸起區域，將數個連接芯片頂部接觸區的連接片分割為各個相互絕緣的連接片部分。

5.如權利要求3或4所述的用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，所述的數個芯片包括低邊金屬氧化物半導體場效應晶體管器件和高邊金屬氧化物半導體場效應管器件。

6.如權利要求5所述的用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，所述的低邊金屬氧化物半導體場效應晶體管器件和高邊金屬氧化物半導體場效應管器件的頂部接觸區分別為柵接觸區和源接觸區，其底部接觸區為漏接觸區。

7.用連接片實現連接的半導體封裝體的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供一個基板框架，所述的基板框架帶有數個基板框架外部引腳，所述的基板框架包含數個芯片座，用于放置數個芯片；

步驟2：提供數個芯片，所述的芯片包括數個頂部接觸區及底部接觸區，將所述的數個芯片分別粘貼在基板框架的各個芯片座上，并將各個芯片的底部接觸區電連接在基板框架上；

步驟3：提供數個連接片，每個連接片分別連接芯片之間對準排布的頂部接觸區，從而固定數個芯片；

步驟4：提供一塑封體，所述的塑封體封裝基板框架、芯片及連接片；

步驟5：分割連接片。