[發明專利]用于自對準雙構圖技術的關鍵尺寸補償方法

在審

• 申請號: 201310598204.5
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104658939A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 張城龍;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/02;G03F7/20
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;付偉佳

1.一種用于自對準雙構圖技術的關鍵尺寸補償方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有待刻蝕材料層，所述待刻蝕材料層上形成有核心；

獲取所述核心的關鍵尺寸，并獲得所述關鍵尺寸與目標尺寸的差值；

在所述待刻蝕材料層和所述核心上形成側墻材料層；

對所述側墻材料層進行刻蝕，以在所述核心的兩側形成側墻，其中所述刻蝕使得相鄰的所述核心的相鄰的側墻之間的間距與所述關鍵尺寸相等；

去除所述核心；以及

根據所述差值對所述側墻的寬度進行補償，以使相鄰的所述側墻之間的間距等于所述目標尺寸。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述關鍵尺寸大于所述目標尺寸時，所述補償包括：

在所述側墻上兩側的側壁上形成補償層，以使補償后的側墻之間的間距等于所述目標尺寸。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述補償層為原位沉積形成的聚合物層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述聚合物層通過甲烷沉積法形成。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述甲烷沉積法在電感耦合等離子體刻蝕機臺中進行的，其中，反應腔室的壓強為2mTorr-100mTorr，甲烷的氣體流量為2SCCM～400SCCM。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述關鍵尺寸小于所述目標尺寸時，所述補償包括：

刻蝕所述側墻，以使補償后的側墻之間的間距等于所述目標尺寸。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述關鍵尺寸是通過掃描電鏡在線監控而獲取的。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述側墻材料層通過原子層沉積的方法形成。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以補償后的所述側墻為掩膜，對所述待刻蝕材料層進行刻蝕。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待刻蝕材料層包括超低K介電層、位于所述超低K介電層上的過渡層以及位于所述過渡層上的硬掩膜層。