[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電性膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310597960.6
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN103839607A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹安智宏;山本祐輔;金谷實(shí);佐佐和明
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B1/08;G06F3/044
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及適用于能夠通過手指或者觸控筆等的接觸輸入信息的輸入顯示裝置等的透明導(dǎo)電性膜。

背景技術(shù)

一直以來，公知的是具有銦錫氧化物的多晶層、比電阻為9.2×10^-4Ω·cm程度的透明導(dǎo)電性膜（專利文獻(xiàn)1）。此透明導(dǎo)電性膜使得對筆滑動(dòng)的耐久性良好，被期待用于筆輸入用觸摸面板的用途。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)1】日本特開2010-080290號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

最近，隨著靜電電容式的觸摸面板的大型化，要求適用于大型的靜電電容式觸摸面板的透明導(dǎo)電性膜的比電阻變得更小。

本發(fā)明的目的是提供結(jié)晶性優(yōu)良、比電阻小的透明導(dǎo)電性膜。

解決問題的手段

為了達(dá)成所述目的，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜，具有膜基材、和在該膜基材上形成的銦錫氧化物的多晶層，其特征在于，所述多晶層，在厚度方向具有氧化錫的濃度梯度，所述多晶層的厚度方向的氧化錫濃度的最大值為6重量%～12重量%，所述多晶層的厚度為10nm～35nm，構(gòu)成所述多晶層的晶粒的最大尺寸的平均值為380nm～730nm。

優(yōu)選所述多晶層的厚度方向的氧化錫濃度的最大值為6重量%～11重量%。

此外，優(yōu)選所述多晶層的厚度方向的氧化錫濃度的最小值為1重量%～4重量%。

此外，優(yōu)選所述多晶層的氧化錫濃度在厚度方向在所述多晶層的中央部大、在其兩端部小。

在所述多晶層，靠近所述膜基材側(cè)的氧化錫濃度比遠(yuǎn)離所述膜基材側(cè)的氧化錫濃度大是優(yōu)選的。

進(jìn)一步優(yōu)選所述透明導(dǎo)電性膜的比電阻是2.0×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，多晶層，由具有在平面方向擴(kuò)展的平板狀晶癖的晶粒形成，因?yàn)榻Y(jié)晶的連續(xù)性良好，所以透明導(dǎo)電性膜的比電阻變小。此外，因?yàn)榧词苟嗑е邪^多氧化錫，也由于在多晶層的厚度方向存在氧化錫的濃度梯度，氧化錫濃度小的區(qū)域促進(jìn)氧化錫濃度大的區(qū)域的結(jié)晶化，所以結(jié)晶性良好。因此，能夠提供結(jié)晶性優(yōu)良、比電阻小的透明導(dǎo)電性膜。

附圖說明

圖1是概略地表示本發(fā)明的實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖2是表示多晶層的氧化錫的濃度梯度的一個(gè)例子的曲線圖。

圖3是表示多晶層的氧化錫的濃度梯度的其它的一個(gè)例子的曲線圖。

圖4是圖1的多晶層表面的透射式電子顯微鏡照片。

圖5是表示圖4的透射式電子顯微鏡照片的二值化圖像的圖。

圖6是表示多晶層表面的晶粒的面積分布的曲線圖。

圖7是表示多晶層表面的晶粒的最大直徑分布的曲線圖。

圖8是表示多晶層表面的晶粒的當(dāng)量圓直徑分布的曲線圖。

【符號(hào)說明】

1透明導(dǎo)電性膜

2膜基材

3多晶層

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖1是概略地表示本實(shí)施方式的透明導(dǎo)電性膜的結(jié)構(gòu)的剖視圖。應(yīng)予說明，圖1的各個(gè)結(jié)構(gòu)的厚度是表示它的一個(gè)例子，本發(fā)明的膜傳感器的各個(gè)構(gòu)成的厚度，不限于圖1的情況。

如圖1所示，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性膜1，具有膜基材2、和在該膜基材上形成的銦錫氧化物的多晶層3。多晶層3，在厚度方向具有氧化錫的濃度梯度，多晶層3的厚度方向的氧化錫濃度的最大值為6重量%～12重量%。此外，多晶層3的總厚度為10nm～35nm，構(gòu)成多晶層3的晶粒的最大直徑的平均值為380nm～730nm。

在如上所述構(gòu)成的透明導(dǎo)電性膜1中，因?yàn)橛删哂性谄矫娣较驍U(kuò)展的平板狀晶癖的晶粒形成多晶層3，結(jié)晶的連續(xù)性良好，所以比電阻小。此外，即使在多晶中包含較多氧化錫（6重量%～12重量%），通過在厚度方向具有氧化錫的濃度梯度，結(jié)晶性也很好。

透明導(dǎo)電性膜1的比電阻，是2.0×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，優(yōu)選為2.2×10^-4Ω·cm～2.8×10^-4Ω·cm。

然后，以下說明透明導(dǎo)電性膜1的各個(gè)結(jié)構(gòu)要素的詳情。

（1）膜基材