[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310597577.0
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN103855124B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 金鐘薰;裴弼淳
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邱軍

1.一種制造半導體裝置的方法，包括如下步驟：

制備在其一個表面上形成有開口的半導體結構，該開口用于暴露焊盤；

在該開口中形成第一導電層以使該半導體結構的該一個表面更加均勻；以及

在該半導體結構的包括該第一導電層的部分的該一個表面上用滾動印刷工藝形成導電圖案,

其中所述形成第一導電層的步驟包括如下步驟：

在包括所述開口的所述一個表面上方形成導電層以填充所述開口，并且

研磨所述導電層使得僅在所述開口中保留所述導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成導電圖案的步驟包括單元循環工藝，所述單元循環工藝包括如下步驟：

在版模的其上對應于所述導電圖案的圖案是凹陷的凹陷部分中形成導電墨成分的圖案，

接合輥與所述版模以轉移所述版模上的所述導電墨成分的圖案到所述輥上，并且

將所述輥上的所述導電墨成分的圖案轉移到所述半導體結構的包括所述第一導電層的所述一個表面上，

其中所述單元循環工藝重復至少一次。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成導電圖案的步驟包括由以下步驟構成的單元循環工藝：

在輥上涂覆導電墨成分，

接合其上對應于所述導電圖案的圖案是凹陷的版模與所述輥以在所述輥上形成對應于所述輥上的導電圖案的所述導電墨成分的圖案，并且

將所述輥上的所述導電墨成分的圖案轉移到所述半導體結構的包括所述第一導電層的所述一個表面上，

其中該單元循環工藝重復至少一次。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述導電圖案后，燒結所述導電圖案的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電圖案包括凸塊和重分布線中的任何一種。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述導電圖案的步驟后，在所述導電圖案上形成第二導電層的步驟。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述形成第二導電層的步驟采用無電鍍鍍覆工藝執行。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述形成第二導電層的步驟以所述第二導電層形成在所述導電圖案的整個表面上的方式執行。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述形成第二導電層的步驟以所述第二導電層形成在所述導電圖案的一部分上的方式執行。