[發明專利]存儲器架構與其操作方法

有效

• 申請號: 201310597458.5
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104658600B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 李明修;李峰旻;林昱佑
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種操作方法，應用于包括一晶體管與一電阻式存儲器元件的一電阻式存儲單元，位于同一橫列或同一直排的電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區耦接于多條阱信號線中的一阱信號線，各阱信號線垂直或平行于各漏極信號線，各阱信號線以線為單位對晶體管進行控制，該操作方法包括：

于一編程操作時，一編程電流通過該晶體管與該電阻式存儲器元件，以使得該電阻式存儲器元件由一第一電阻狀態改變成一第二電阻狀態；以及

于一擦除操作時，一擦除電流從該晶體管的一阱區流向該電阻式存儲器元件但該擦除電流不流經該晶體管，以使得該電阻式存儲器元件由該第二電阻狀態改變成該第一電阻狀態；

其中，于該編程操作時，該編程操作具體包括：

施加一第一正偏壓于該電阻式存儲器元件的一第一端；

施加一第二正偏壓于該晶體管的一控制端；

施加一接地電壓于該晶體管的一第一端，該晶體管的一第二端耦接于該電阻式存儲器元件的一第二端；以及

施加該接地電壓于該晶體管的一阱端。

2.根據權利要求1所述的操作方法，其中該電阻式存儲器元件于該第一電阻狀態下的一電阻高于處于該第二電阻狀態的電阻。

3.根據權利要求1所述的操作方法，其中該編程電流的一電流方向不對稱于該擦除電流的一電流方向。

4.一種存儲器架構，包括：

多個電阻式存儲單元，排列成陣列；

多條漏極信號線，各漏極信號線耦接至位于同一直排的多個電阻式存儲單元；

多條柵極信號線，各柵極信號線耦接至位于同一橫列的多個電阻式存儲單元，各漏極信號線垂直于各柵極信號線；

多條源極信號線，各源極信號線耦接至位于同一橫列或同一直排的多個電阻式存儲單元，各源極信號線垂直或平行于各漏極信號線；以及

多條阱信號線，各阱信號線耦接至位于同一橫列或同一直排的多個電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區，各阱信號線垂直或平行于各漏極信號線，各阱信號線以線為單位對晶體管進行控制；

其中，于編程操作時，該編程操作具體包括：

施加一第一正偏壓于被選的該漏極信號線，并施加一接地電壓至未選的這些其余漏極信號線或使之浮接；

施加該接地電壓至被選的該源極信號線，并施加該接地電壓至未選的這些其余源極信號線或使之浮接；

施加一第二正偏壓于被選的該柵極信號線，并施加該接地電壓至未選的這些其余柵極信號線；以及

施加該接地電壓于所有該阱信號線。

5.根據權利要求4所述的存儲器架構，其中

各源極信號線耦接至位于同一直排的多個電阻式存儲單元，各源極信號線平行于各漏極信號線；以及

各阱信號線耦接至位于同一橫列的多個電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區，各阱信號線平行于各柵極信號線。

6.根據權利要求4所述的存儲器架構，其中

各源極信號線耦接至位于同一直排的多個電阻式存儲單元，各源極信號線平行于各漏極信號線；以及

各阱信號線耦接至位于同一直排的多個電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區，各阱信號線平行于各漏極信號線。

7.根據權利要求4所述的存儲器架構，其中

各源極信號線耦接至位于同一橫列的多個電阻式存儲單元，各源極信號線垂直于各漏極信號線；以及

各阱信號線耦接至位于同一直排的多個電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區，各阱信號線平行于各漏極信號線。

8.根據權利要求4所述的存儲器架構，其中

各源極信號線耦接至位于同一橫列的多個電阻式存儲單元，各源極信號線垂直于各漏極信號線；以及

各阱信號線耦接至位于同一橫列的多個電阻式存儲單元的個別晶體管的個別阱區，各阱信號線垂直于各漏極信號線。