[發明專利]具有延長的體內半衰期的因子VIII,馮·維勒布蘭德因子或它們的復合物有效
| 申請號: | 201310596839.1 | 申請日: | 2009-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN103739712A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | T·魏默;S·舒爾特;H·米茲尼爾;U·克龍塞勒;H·林德;W·朗 | 申請(專利權)人: | 德國杰特貝林生物制品有限公司 |
| 主分類號: | C07K19/00 | 分類號: | C07K19/00;C12N15/62;C12N15/85;C12N5/10;C12P21/02;A61K38/37;A61K38/36;A61K47/48;A61K48/00;A61P7/04;C07K1/107 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 劉曉東 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 延長 體內 半衰期 因子 viii 維勒布 蘭德 它們 復合物 | ||
1.復合物,其包括:因子VIII(FVIII)及馮·維勒布蘭德因子(VWF),或其獨立多肽成分之一,其中所述復合物的至少一種多肽成分或其獨立成分中的至少一種于其主要翻譯產物的C-端部分融合到加長半衰期的多肽(HLEP)的N-端部分。
2.修飾的FVIII,或者
修飾的von?VWF,或者
包括修飾的FVIII及非修飾的VWF的復合物,或者
包括非修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,或者
包括修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,其中,
所述修飾的FVIII于FVIII的主要翻譯多肽的C-端部分融合到HLEP的N-端部分,或
所述修飾的VWF于VWF的主要翻譯多肽的C-端部分融合到HLEP的N-端部分。
3.權利要求1或2的
修飾的FVIII,或者
修飾的VWF,或者
包括修飾的FVIII及非修飾的VWF的復合物,或者
包括非修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,或者
包括修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,其中,
(a)所述修飾的FVIII具有相比野生型FVIII的功能半衰期延長的功能半衰期,或
(b)所述修飾的VWF具有相比野生型VWF的功能半衰期延長的功能半衰期,或
(c)所述包括修飾的FVIII及非修飾的VWF的復合物具有相比包括野生型FVIII及野生型VWF的相應復合物的功能半衰期延長的功能半衰期,或
(d)所述包括非修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物具有相比包括野生型FVIII及野生型VWF的相應復合物的功能半衰期延長的功能半衰期,或
(e)所述修飾的FVIII與修飾的VWF的復合物具有相比包括野生型FVIII及野生型VWF的相應復合物的功能半衰期延長的功能半衰期。
4.權利要求3的修飾的多肽,或者包括所述修飾的多肽的復合物或包括多種所述修飾的多肽的復合物,其中,
所述修飾的多肽具有相比相應野生型多肽的功能半衰期增加至少25%的功能半衰期,或
所述包括所述修飾的多肽的復合物或包括多種所述修飾的多肽的復合物具有相比野生型FVIII與野生型VWF的相應復合物的功能半衰期增加至少25%的功能半衰期。
5.權利要求1或2的
修飾的FVIII,或者
修飾的VWF,或者
包括修飾的FVIII及非修飾的VWF的復合物,或者
包括非修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,或者
包括修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物,其中
(a)所述修飾的FVIII具有相比野生型FVIII的抗原半衰期延長的抗原半衰期,或
(b)所述修飾的VWF具有相比野生型VWF的抗原半衰期延長的抗原半衰期,或
(c)所述包括修飾的FVIII及非修飾的VWF的復合物具有相比所述包括野生型FVIII及野生型VWF的相應復合物的抗原半衰期延長的抗原半衰期,或
(d)所述包括非修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物具有相比野生型FVIII與野生型VWF的相應復合物的抗原半衰期延長的抗原半衰期,或
(e)所述包括修飾的FVIII及修飾的VWF的復合物具有相比野生型FVIII與野生型VWF的相應復合物的抗原半衰期延長的抗原半衰期。
6.權利要求5的修飾的多肽,或者包括所述修飾的多肽的復合物或包括多種所述修飾的多肽的復合物,其中,
所述修飾的多肽具有相比相應野生型多肽的抗原半衰期增加至少25%的抗原半衰期,或
所述包括所述修飾的多肽的復合物或包括多種所述修飾的多肽的復合物具有相比野生型FVIII與野生型VWF的相應復合物的抗原半衰期增加至少25%的抗原半衰期。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德國杰特貝林生物制品有限公司,未經德國杰特貝林生物制品有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310596839.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:形成互連結構的方法
- 下一篇:承載平臺以及晶片厚度檢測裝置





