[發明專利]一種改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法有效
| 申請號： | 201310596022.4 | 申請日： | 2013-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN104658968B | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發明（設計）人： | 楊梅;高保林;殷原梓 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 半導體 樣品 定點 研磨 過程 平坦 方法 | ||
1.一種改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
S11提供一半導體樣品，所述半導體樣品中包含襯底，位于所述襯底上的晶片有效層，及位于所述晶片有效層邊緣處、用于失效分析的目標點；
S12刻蝕所述半導體樣品，形成包圍該目標點的槽，其中，所述包圍該目標點的槽為閉合槽，且所述閉合槽的深度大于所述晶片有效層的厚度；
S13在所述槽中填充金屬，形成包圍目標點的金屬框，其中，所述包圍目標點的金屬框為閉合金屬框。
2.根據權利要求1所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述步驟S12中采用聚焦離子束刻蝕工藝刻蝕所述半導體樣品，形成包圍該目標點的槽。
3.根據權利要求1所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述包圍該目標點的槽的截面形狀為圓形或者任意多邊形。
4.根據權利要求1所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述步驟S13中的金屬包括鎢或鉑。
5.根據權利要求3所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述槽的截面為正方形，所述目標點與槽的內邊框垂直距離大于或等于5um。
6.根據權利要求1所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述槽的深度h為1-4um，所述槽的寬度d為0.5-2um。
7.根據權利要求1所述的改善半導體樣品定點研磨過程中平坦性的方法，其特征在于：所述槽的橫截面形狀為U型或V型。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
