[發明專利]半導體發光元件

有效

• 申請號: 201310595821.X
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104659176B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 陳怡名;楊宗憲
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體發光元件，包含：

半導體疊層具有一第一表面、一第二表面相對于該第一表面以及一側邊，其中該第一表面包含多個突出部與多個凹部；

第一電極位于該第一表面上與該半導體疊層電連接；

第二電極位于該第一表面上與該半導體疊層電連接且包含一連接部位于該側邊；以及

透明導電層共形地覆蓋該第一表面，且位于該第一電極與該半導體疊層之間，

其中該第一電極包含一第一焊接部與一第一延伸部，該第一延伸部位于該第一焊接部與該透明導電層之間，且共形地覆蓋該透明導電層。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，還包含一絕緣層覆蓋該第一延伸部以及該側邊，且位于該第一延伸部與該第一焊接部之間。

3.如權利要求2所述的半導體發光元件，其中該第一電極還包含一連接部電連接該第一焊接部與該第一延伸部。

4.如權利要求3所述的半導體發光元件，該第一電極的該連接部位于該半導體疊層的另一側邊相對于該側邊。

5.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中每一個所述多個突出部包含一平臺與一斜邊，且該斜邊具有一角度介于15度與75度之間，每一個所述多個突出部的高度介于500nm～5000nm之間。

6.如權利要求1所述的半導體發光元件，還包含多個接觸結構在所述多個突出部上，并與該半導體疊層及該透明導電層形成歐姆接觸，該多個接觸結構包含金(Au)、鈹(Be)、鍺(Ge)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鋅(Zn)或其合金。

7.如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第二電極包含一第二焊接部與一第二延伸部，該第二焊接部位于該第一表面上，該第二延伸部位于該第二表面上，其中該第二延伸部包含金屬、氧化物或其組合。

8.如權利要求7所述的半導體發光元件，其中該第二焊接部與該第一焊接部的面積總和為半導體發光元件的面積15％～95％之間。

9.如權利要求7所述的半導體發光元件，還包含一絕緣層隔開該第二電極的該連接部及該側邊。

10.如權利要求7所述的半導體發光元件，其中該第二延伸部包含多個指狀電極，所述多個指狀電極分別對應于所述多個凹部，在垂直于堆疊的方向上，所述多個突出部位于不與所述多個指狀電極相重疊的區域。