[發明專利]層疊電容器

有效

• 申請號: 201310594894.7
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103839676B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 大沼岳史
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G4/232
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 楊琦

技術領域

本發明涉及一種本發明涉及層疊電容器。

背景技術

作為層疊電容器，眾所周知具備：素體，呈長邊方向的長度和寬度方向的長度比高度方向的長度更大的大致長方體形狀，并且具有在高度方向上互相相對的一對主面、以連結一對主面的形式在高度方向上延伸且在寬度方向上互相相對的一對側面、以及以連結一對主面的形式在高度方向上延伸并且在長邊方向上互相相對的一對端面；多個內部電極，以在素體的高度方向上互相相對的形式交替地配置在素體內；以及多個端子電極，分別具有配置在一對主面的電極部分、以及配置在相對應的端面且連接于相對應的內部電極的電極部分（例如，參照日本特開2010-129737號公報）。

發明內容

然而，在日本特開2010-129737號公報所記載的層疊電容器中，存在產生如以下那樣的問題的擔憂。在日本特開2010-129737號公報所記載的層疊電容器中，端子電極在配置在端面的電極部分上與相對應的內部電極相連接。因此，層疊電容器中的電流路徑長，等效串聯電感（ESL）高。

本發明的目的在于提供一種可以謀求ESL的降低的層疊電容器。

本發明所涉及的層疊電容器，具備：素體，呈長邊方向的長度和寬度方向的長度比高度方向的長度更大的大致長方體形狀，并且具有在高度方向上互相相對的第一和第二主面、以連結第一和第二主面的形式在高度方向上延伸并且在寬度方向上互相相對的第一和第二側面、以及以連結第一和第二主面的形式在高度方向上延伸且在長邊方向上互相相對的第三和第四側面；多個內部電極，以在素體的高度方向上互相相對的形式交替地配置在素體內，并且分別具有在素體的高度方向上互相相對的主電極部、以及從主電極部延伸并露出于第一側面的引出部；多個端子電極，分別具有配置在第一主面的第一電極部分、以及配置在第一側面且連接于多個內部電極當中相對應的內部電極引出部的第二電極部分。

在本發明所涉及的層疊電容器中，多個端子電極分別具有配置在第一主面的第一電極部分、以及被配置在第一側面的第二電極部分。各端子電極在配置在第一側面的第二電極部分上與相對應的內部電極的引出部相連接。因此，與端子電極在配置在端面的電極部分上與相對應的內部電極相連接的層疊電容器相比較，在本發明所涉及的層疊電容器中，在素體的高度方向上相鄰接且成為不同極性的內部電極彼此上，引出部之間的距離短。其結果，層疊電容器中的電流路徑變短，能夠謀求ESL的降低。

素體的第三和第四側面可以露出。在此情況下，在素體的第三和第四側面，不配置端子電極。因此，層疊電容器的在素體的長邊方向上的長度不增加，能夠容易地謀求層疊電容器的小型化。

第一電極部分的在素體的寬度方向上的長度可以比在素體的高度方向上的長度更大。具備呈長邊方向的長度和寬度方向的長度比高度方向的長度更大的大致長方體形狀的素體的層疊電容器，如在日本特開2010-129737號公報中也有記載的那樣，埋入到基板等來進行安裝。在此情況下，層疊電容器的端子電極例如與配置在基板的表面的電極通過形成在基板的通孔導體而電連接。即，端子電極的第一電極部分與通孔導體被連接。若第一電極部分的素體的寬度方向上的長度比素體的高度方向上的長度更大，則第一電極部分的面積相對比較大，能夠切實地連接第一電極部分（端子電極）與通孔導體。

素體的第二側面可以露出。在此情況下，在素體的第二側面，不配置端子電極。因此，層疊電容器的在素體的寬度方向上的長度不增加，能夠容易地謀求層疊電容器的小型化。

第一電極部分可以具有配置在第一主面上的燒接電極層、配置在燒接電極層上的鍍層。在此情況下，如以上那樣，在層疊電容器埋入到基板等來進行安裝時能夠切實地連接第一電極部分與通孔導體。

第二電極部分的在素體的長邊方向上的長度可以比第一電極部分的在素體的長邊方向上的長度更短。在此情況下，第二電極部分的面積相對比較小，減少在素體形成第二電極部分時所產生的應力。其結果，能夠防止在素體產生裂紋等結構缺陷。

素體的第一側面上的靠近第三側面的區域和靠近第四側面的區域可以露出。在此情況下，第二電極部分的面積相對比較小。因此，如上述那樣，減少在素體形成第二電極部分時所產生的應力，能夠防止在素體產生裂紋等構造缺陷。

第二電極部分可以配置成比第一電極部分更靠近素體的長邊方向上的中央。在此情況下，在成為不同極性的內部電極彼此上，引出部之間的距離更短。其結果，能夠更進一步謀求ESL的降低。