[發明專利]電阻式存儲元件及其操作方法

在審

• 申請號: 201310594471.5
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN104659204A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 張文岳
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

1.一種電阻式存儲元件，其特征在于，包括：

多條隔離結構，配置于襯底中且沿第一方向延伸；

多條字符線，配置于所述襯底上且沿第二方向延伸，其中至少一摻雜區配置于相鄰的兩條字符線之間的所述襯底中，且所述第二方向與所述第一方向不同；

導電層，配置于所述字符線上，所述導電層具有多個導電區塊以及沿所述第二方向延伸的多條導線，至少一導電區塊配置于相鄰的兩條導線之間，且所述導線以及所述導電區塊與所述摻雜區電性連接，其中所述導線包括交替配置的多條第一導線與多條第二導線，所述第一導線用于接地電位，且所述第二導線用于接重設電壓以重設所述電阻式存儲元件；

多個可變電阻區塊，分別配置于所述導電區塊上并與所述導電區塊電性連接；以及

多條位線，配置于所述導電層上、沿所述第一方向延伸且與所述可變電阻區塊電性連接。

2.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述第二方向與所述第一方向垂直。

3.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述導電層的所述導線以及所述導電區塊位于同一平面。

4.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述摻雜區包括多個源極區以及多個漏極區，所述導線與所述源極區電性連接，且所述導電區塊與所述漏極區電性連接。

5.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述導線以及所述導電區塊通過多個第一導電插塞以與所述摻雜區電性連接。

6.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述可變電阻區塊通過多個第二導電插塞以與所述導電區塊電性連接。

7.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述位線通過多個第三導電插塞以與所述可變電阻區塊電性連接。

8.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中各可變電阻區塊包括底電極、頂電極以及位于所述底電極與所述頂電極之間的可變電阻層。

9.根據權利要求1的電阻式存儲元件，還包括至少一絕緣層，以將所述字符線與所述導電層、所述可變電阻區塊以及所述位線彼此隔離。

10.根據權利要求1的電阻式存儲元件，其中所述字符線包括交替配置的多條第一字符線與多條第二字符線。

11.一種電阻式存儲元件的操作方法，用以操作如權利要求10所述的電阻式存儲元件，其特征在于，所述操作方法包括：

當于設定模式時，施加第一交流電壓至所述第一字符線，施加0V電壓至所述第二字符線，施加第二交流電壓至所述位線，施加0V電壓至所述襯底，施加0V電壓至所述第一導線，且施加直流重設電壓至所述第二導線。

12.根據權利要求11的電阻式存儲元件的操作方法，其中所述操作方法還包括：

當于重設模式時，施加0V電壓至所述第一字符線，施加第三交流電壓至所述第二字符線，施加0V電壓至所述位線，施加0V電壓至所述襯底，施加0V電壓至所述第一導線，且施加所述直流重設電壓至所述第二導線。

13.一種電阻式存儲元件，包括多個存儲單元，其特征在于，每一個存儲單元包括：

二個柵極；

一個漏極節點，位于所述柵極之間；

可變電阻區塊，電性連接至所述漏極節點；

導體層，電性連接至所述可變電阻區塊；以及

二個源極節點，分別位于所述柵極的外側，其中所述源極節點中的一者用于接地電位，而所述源極節點中的另一者用于接重設電壓以重設所述存儲單元。