[發(fā)明專利]高性能高集成度漏電極輔控L形柵型無(wú)結(jié)晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310594237.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104282752A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 靳曉詩(shī);劉溪;揣榮巖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/10 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)智龍專利事務(wù)所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋鐵軍;周楠 |
| 地址： | 110870 遼寧省沈*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 性能 集成度 漏電 極輔控 形柵型無(wú) 結(jié)晶體 | ||
1.一種高性能高集成度漏電極輔控L形柵型無(wú)結(jié)晶體管，包括SOI晶圓的硅襯底（8），SOI晶圓的硅襯底（8）上方為SOI晶圓的絕緣層（7）；其特征在于：SOI晶圓的絕緣層（7）上方為單晶硅凹槽（6），相鄰的單晶硅凹槽（6）之間通過(guò)絕緣介質(zhì)層（5）隔離，單晶硅凹槽（6）的凹槽內(nèi)壁表面為柵極絕緣層（4），柵極絕緣層（4）上方形成L形柵電極（3），單晶硅凹槽（6）一端的上表面與源電極（1）接觸，單晶硅凹槽（6）另一端的上表面與漏電極（2）接觸，漏電極（2）除與單晶硅凹槽（6）一端的上表面接觸之外，還附著在臨近該端的柵極絕緣層（4）上，L形柵電極（3）、源電極（1）和漏電極（2）之間彼此通過(guò)絕緣介質(zhì)層（5）隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高性能高集成度漏電極輔控L形柵型無(wú)結(jié)晶體管，其特征在于：L形柵電極（3）呈大寫英文字母L形，嵌入于單晶硅凹槽（6）內(nèi)的柵極絕緣層（4）的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高性能高集成度漏電極輔控L形柵型無(wú)結(jié)晶體管，其特征在于：柵極絕緣層（4）是二氧化鉿、四氮化三硅、三氧化二鋁或者二氧化硅層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
