[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310594171.7
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN104425419B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳玉芬;吳凱強;呂俊麟;郭宏瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

多個接觸焊盤，設(shè)置在所述襯底上方，所述接觸焊盤被布置為球柵陣列BGA，所述BGA包括多個拐角；

保護材料，均勻覆蓋所述襯底的表面；以及

金屬壩，設(shè)置在所述BGA的多個拐角中的每一個拐角周圍，所述金屬壩改進所述保護材料的厚度均勻性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬壩被設(shè)置為接近在所述BGA的一側(cè)上位于所述多個拐角中的每一個拐角中的至少四個接觸焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當從下往上看所述襯底時，所述金屬壩是不連續(xù)的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當從下往上看所述襯底時，所述金屬壩主要包括多邊形、圓形或橢圓形的形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：連接至所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的導(dǎo)電凸塊，所述導(dǎo)電凸塊具有270μm或更小的直徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬壩包括第一金屬壩，還包括接近所述第一金屬壩的第二金屬壩。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

多個接觸焊盤，設(shè)置在所述襯底上方，所述接觸焊盤被布置為球柵陣列BGA，所述BGA包括多個拐角；

導(dǎo)電材料，設(shè)置在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的上方；

金屬壩，設(shè)置在所述BGA的多個拐角中的每一個拐角周圍；以及

保護材料，在所述襯底上方設(shè)置在位于所述多個接觸焊盤中的每個上方的所述導(dǎo)電材料之間以及所述金屬壩和所述導(dǎo)電材料之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬壩具有25μm或更大的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述金屬壩與所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤間隔100μm或更大。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電材料包括導(dǎo)電凸塊，所述導(dǎo)電凸塊具有第一高度，所述金屬壩具有第二高度，并且所述第二高度為所述第一高度的1/3或更大。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護材料具有50μm至130μm的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，當將所述保護材料旋涂在空白晶圓上時，所述保護材料包括厚度大于10μm的材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護材料具有70％或更大的透射率。

14.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成多個接觸焊盤，所述多個接觸焊盤被布置為球柵陣列BGA，所述BGA包括多個拐角；

在所述BGA的多個拐角中的每一個拐角周圍的所述襯底上方形成金屬壩；

在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的上方形成導(dǎo)電材料；以及

在位于所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上方的所述導(dǎo)電材料之間以及所述金屬壩和所述導(dǎo)電材料之間的所述襯底上方形成保護材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述金屬壩包括鍍所述金屬壩。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：在形成所述多個接觸焊盤的同時，形成所述金屬壩的第一部分，并且形成所述金屬壩包括：在所述多個接觸焊盤和所述金屬壩的第一部分上方形成光刻膠層；圖案化所述光刻膠層，以暴露所述金屬壩的第一部分；在所述金屬壩的第一部分上方鍍所述金屬壩的第二部分；以及去除所述光刻膠層。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述保護材料包括旋涂材料，所述材料選自由樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)或它們的組合組成的組中。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述保護材料包括：覆蓋所述襯底的表面，形成均勻的所述保護材料的層。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述襯底包括中介襯底或集成電路管芯。