[發(fā)明專利]燒結(jié)后不合格單晶硅電池片的再利用及其柵線回收方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310593936.5
• 申請(qǐng)日: 2013-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103606595A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 商瑜;顏廣;楊浩;楊國(guó)濤;唐寶田;程立威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英利集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種燒結(jié)后不合格單晶硅電池片的再利用方法，其特征在于，包括以下步驟：

對(duì)不合格單晶硅電池片進(jìn)行酸處理，得到待用硅片；

將待用硅片返回單晶硅電池片生產(chǎn)流程進(jìn)行二次加工，得到成品合格的單晶硅電池片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的再利用方法，其特征在于，所述酸處理步驟包括：用溫度為20～30℃，質(zhì)量濃度為10%～40%的HF溶液對(duì)所述不合格單晶硅電池片進(jìn)行酸處理，處理時(shí)間為3～15min，優(yōu)選采用浸泡的方式進(jìn)行酸處理，更優(yōu)選所述HF溶液質(zhì)量濃度為10%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的再利用方法，其特征在于，在所述酸處理步驟后，還包括用水對(duì)酸處理后的所述不合格單晶硅電池片進(jìn)行清洗，清洗后晾干得到待用硅片，優(yōu)選在50～120℃下烘干。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的再利用方法，其特征在于，在所述酸處理步驟后，還包括去除所述待用硅片表面摻雜層的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面摻雜層的步驟包括：對(duì)所述待用硅片形成有摻雜層的一側(cè)依次進(jìn)行酸清洗、堿清洗、以及氫氟酸清洗以去除其表面摻雜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面摻雜層的步驟中,

所述酸清洗步驟中采用的酸液按體積份計(jì)包括：30～50份質(zhì)量濃度為30～50%的HF、130～150份質(zhì)量濃度為60～70%的HNO₃和60～80份的水；

所述堿清洗步驟中采用的堿液為質(zhì)量濃度為40～55%的KOH或NaOH；

所述氫氟酸清洗步驟中采用的氫氟酸的質(zhì)量濃度為30～50%；

優(yōu)選所述酸清洗、所述堿清洗、以及所述氫氟酸清洗步驟在14℃～18℃溫度下進(jìn)行，且各步驟的處理時(shí)間為0.5～5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面摻雜層的所述酸清洗步驟中的腐蝕量為1～2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的再利用方法，其特征在于，去除所述待用硅片表面摻雜層的步驟中，在酸清洗、堿清洗以及氫氟酸清洗的步驟后均包括水洗的步驟。

9.一種燒結(jié)后不合格單晶硅電池片的柵線回收方法，其特征在于，對(duì)不合格單晶硅電池片進(jìn)行酸處理以脫出所述不合格單晶硅電池片表面的柵線，然后收集脫出的所述柵線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的柵線回收方法，其特征在于，所述酸處理步驟包括：用溫度為20～30℃，質(zhì)量濃度為10%～40%的HF溶液對(duì)所述不合格單晶硅電池片進(jìn)行酸處理，處理時(shí)間為3～15min；優(yōu)選采用浸泡的方式進(jìn)行酸處理；更優(yōu)選所述HF溶液質(zhì)量濃度為10%。