[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201310593218.8 | 申請日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN104183568B | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發明（設計）人： | 吳星來 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/528;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周曉雨 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓供應單元 半導體器件 電壓傳輸線 接觸插塞 供應電壓 開關元件 耦接 傳送 | ||
1.一種半導體器件，包括：
電壓供應單元，所述電壓供應單元適用于供應電壓；
第一導線，所述第一導線與所述電壓供應單元耦接；
第二導線，所述第二導線形成在所述第一導線之上；
電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導線之上，其中，從所述第二導線的底部至所述第二導線的頂部的高度比從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大；
電壓傳輸線，所述電壓傳輸線形成在所述電壓接觸插塞之上；以及
開關元件，所述開關元件適用于切換從所述電壓傳輸線傳送的電壓。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導線具有與所述開關元件的柵極的高度相同的高度，并且所述第一導線由與所述開關元件的柵極的材料相同的材料形成。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一導線由多晶硅形成。
4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導線由電阻比所述第一導線的電阻低的材料形成。
5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第二導線由鎢形成。
6.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導線的寬度比所述電壓接觸插塞的寬度大。
7.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電壓傳輸線的寬度與所述電壓接觸插塞的上部的寬度相同。
8.一種半導體器件，包括：
柵極線，所述柵極線形成在襯底的第一區域處；
結區，所述結區形成為與所述柵極線接觸；
第一柵接觸插塞，所述第一柵接觸插塞形成在所述結區之上；
第二柵接觸插塞，所述第二柵接觸插塞形成在所述第一柵接觸插塞之上；
第一導線，所述第一導線形成在所述襯底的第二區域；
第二導線，所述第二導線形成在所述第一導線之上；
電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導線之上；以及
電壓傳輸線，所述電壓傳輸線適用于將所述第二柵接觸插塞與所述電壓接觸插塞耦接。
9.如權利要求8所述的半導體器件，其中，從所述第一柵接觸插塞的底部至所述第一柵接觸插塞的頂部的高度與從所述第一導線的底部至所述第二導線的頂部的高度相同。
10.如權利要求8所述的半導體器件，其中，從所述第二柵接觸插塞的底部至所述第二柵接觸插塞的頂部的高度與從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度相同。
11.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一柵接觸插塞的寬度比所述第二柵接觸插塞的寬度大。
12.一種半導體器件，包括：
存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列包括垂直存儲串；
多個線，所述多個線與所述垂直存儲串的上部耦接；
開關元件，所述開關元件包括結區和柵極線；
柵接觸插塞，所述柵接觸插塞與所述結區耦接；
第一導線；
第二導線，所述第二導線形成在所述第一導線之上；
電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導線之上；以及
電壓傳輸線，所述電壓傳輸線適用于將所述柵接觸插塞與所述電壓接觸插塞耦接，其中，所述電壓傳輸線形成在與所述多個線相同的平面上。
13.如權利要求12所述的半導體器件，其中，所述存儲器單元陣列具有三維結構，在所述三維結構中存儲器單元彼此分隔開并且沿著與半導體襯底的表面垂直的方向層疊。
14.如權利要求12所述的半導體器件，其中，所述線包括信號傳輸線和位線中的至少一個，用于傳送操作信號。
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