[發明專利]一種用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝

在審

• 申請號: 201310593101.X
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN104655999A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 張強
• 申請（專利權）人: 西安永電電氣有限責任公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝。

背景技術

IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，具有高頻率、高電壓、大電流的特點，尤其具有開通和關斷驅動電路的特點，且結構簡單，是國際上公認的電力電子技術第三次革命的最具代表性的產品，至今已經發展到第六代，商業化已發展到第五代。目前，IGBT已廣泛應用于國民經濟的各行業中。

由于IGBT模塊的開關特性可以反應出模塊工作的動態過程性能，是大功率IGBT模塊電特性的重要保證。由此，在IGBT模塊的開關特性測試過程中，如果用于測試的工裝結構不合理，容易造成IGBT模塊的電極受力變形，從而造成IGBT模塊電極與工裝接觸面間隙產生電弧，最終影響IGBT模塊測試結果的準確性。

此外，從圖1可以看出（其中1為輔助IGBT模塊，2為被測IGBT模塊），測試電路中的電感LP2，LP3，LP4，LP5為測試工裝帶來寄生電感，這些寄生電感會對IGBT模塊的測試結果造成影響，比如，寄生電感的增加會導致關斷能量增大、關斷峰值電壓增大、開通能量減少、DI/DT減小，這些影響對于IGBT模塊的開關特性測試的準確進行都是非常不利的因素。因此，減小測試工裝帶來的寄生電感是非常重要的。

進一步地，測試工裝所帶來的阻抗對IGBT模塊的開關特性測試影響較大。例如，在大電流條件下，如3000A，測試IGBT模塊的飽和壓降，如果測試工裝附帶0.1毫歐的電阻，測試結果就會有0.1V的偏差。因此，需要將測試工裝的阻抗降低至最小。

鑒于上述問題，急需一種設計合理的、用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝，以保證壓接式IGBT模塊動態測試結果的精確度。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種測試結果精確的用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝。

為解決上述問題，本發明揭示了一種用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝，包括第一銅排、第二銅排和第三銅排，所述第一銅排、第二銅排和第三銅排的至少一個側壁設置有用于連接外部測試設備的彈性探針，所述第一銅排的一端通過螺栓與輔助IGBT模塊的集電極連接，所述第一銅排的另一端通過螺栓與被測IGBT模塊的集電極連接，所述第二銅排通過螺栓與輔助IGBT模塊的發射極連接，所述第三銅排通過螺栓與被測IGBT模塊的發射極連接。

優選地，所述第一銅排的兩端分別設置有螺孔，所述螺孔均勻排布于所述第一銅排的兩端。

優選地，所述第二銅排上均勻排布有螺孔。

優選地，所述第三銅排上均勻排布有螺孔。

優選地，所述螺栓為M8螺栓。

優選地，垂直于所述第一銅排、第二銅排和第三銅排的側壁分別設置有連接部，所述彈性探針垂直設置于所述連接部。

優選地，所述第一銅排、第二銅排與所述輔助IGBT模塊的接觸面設置有鍍金層，所述第一銅排、第三銅排與所述被測IGBT模塊的接觸面設置有鍍金層。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：本發明所揭示的用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝，包括第一銅排、第二銅排和第三銅排，所述第一銅排、第二銅排和第三銅排的至少一個側壁設置有用于連接外部測試設備的彈性探針，所述第一銅排的一端通過螺栓與輔助IGBT模塊的集電極連接，所述第一銅排的另一端通過螺栓與被測IGBT模塊的集電極連接，所述第二銅排通過螺栓與輔助IGBT模塊的發射極連接，所述第三銅排通過螺栓與被測IGBT模塊的發射極連接。本發明所揭示的用于壓接式IGBT模塊開關特性測試的工裝，采用銅排連接的方式進行模塊動態測試，在測試過程中，由于銅排與IGBT模塊電極的接觸面積大，散熱性好，提高了電流承載能力，對IGBT模塊的電極起到了保護作用，保證了IGBT模塊在動態測試過程中電極的平整度及良好的電氣接觸，并降低了工裝連接形成的阻抗對IGBT模塊測試的影響，降低測試回路中的雜散電感，保障了測試結果的準確性。

附圖說明

圖1是本發明優選實施例中第一銅排的結構示意圖；

圖2是本發明優選實施例中第二銅排的結構示意圖；

圖3是本發明優選實施例中第三銅排的結構示意圖；

圖4是本發明優選實施例中測試工裝使用時的結構示意圖；