[發明專利]一種垂直結構的白光LED芯片及其制造方法

在審

• 申請號: 201310592285.8
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104659187A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 熊傳兵;肖偉民;劉聲龍;趙漢民
• 申請（專利權）人: 晶能光電(江西)有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/48
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于包括：

在生長襯底上外延生長銦鎵鋁氮半導體發光薄膜，形成垂直結構的銦鎵鋁氮發光二極管晶圓片；

在所述晶圓片的電極焊盤上形成一層掩膜層；

在所述晶圓片上涂覆一層混有熒光粉的硅膠并對其進行熱固化，形成一層熒光粉硅膠層；

切割所述電極焊盤上的熒光粉硅膠層，使其與晶圓片臺面上的其他硅膠分離；

刻蝕所述電極焊盤上的掩膜層及熒光粉硅膠層，暴露出電極焊盤；

對所述晶圓片劃片獲得單顆芯片。

2.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述掩膜層為光刻膠柱體。

3.根據權利要求2所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述光刻膠柱體的厚度為10~150微米，形成方法包括但不限于下列方法中的一種：光刻法，直接點滴光刻膠法，成型的光刻膠柱體粘結在電極焊盤法，預先成型的掩膜圖形通過熱壓方法實現掩膜，金屬圖形用膠粘劑粘合在晶圓片上。

4.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述生長襯底包括但不限于下列襯底中的一種：Cu，Cr，Si，SiC，藍寶石。

5.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述切割的方法包括但不限于下列方法中的一種：激光切割，機械切割。

6.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述熒光粉硅膠層的涂覆方法包括但不限于下列方法中的一種：旋涂法，噴涂法，印刷法。

7.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述熒光粉硅膠層至少覆蓋金屬焊盤1微米，在芯片邊緣，所述熒光粉硅膠層至少大于銦鎵鋁氮薄膜臺面2微米。

8.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述刻蝕的方法包括但不限于下列方法中的一種：濕法刻蝕，ICP刻蝕，RIE刻蝕。

9.根據權利要求1所述的一種垂直結構的白光LED芯片的制造方法，其特征在于所述劃片切割的切割方法包括但不限于下列方法中的一種：激光劃片，機械劃片。

10.一種垂直結構的白光LED芯片，包括:

垂直結構的銦鎵鋁氮發光二極管晶圓片；

位于所述晶圓片上的熒光粉硅膠層；

其特征在于所述熒光粉硅膠層覆蓋了所述晶圓片的除電極焊盤外的所有表面。

11.根據權利要求10所述的一種垂直結構的白光LED芯片，其特征在于所述熒光粉至少包括下列中的一種：釔鋁石榴石熒光粉、鋁酸鹽熒光粉、紅色氮化物熒光粉、綠色鋁酸鹽熒光粉。

12.根據權利要求10所述的一種垂直結構的白光LED芯片，其特征在于所述熒光粉硅膠層的熒光粉與硅膠的質量比介于1:10至5:1之間，熒光粉硅膠層的厚度小于100微米。