[發(fā)明專利]基于豎直排列半導(dǎo)體納米線的光電探測器制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310591009.X
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103681962A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏輝;李天信;姚碧霂;盧振宇;陳平平
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種基于豎直排列半導(dǎo)體納米線的光電探測器制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）對豎直排列納米線進行絕緣旋涂包裹。采用機械旋涂的方法，旋涂介質(zhì)的粘稠度應(yīng)在300-500mPa之間，固化后介質(zhì)的折射率小于納米線的折射率；

2）對旋涂介質(zhì)的低溫烘焙固化，溫度小于150℃；

3）通過拋光減薄納米線及其支撐介質(zhì)，使納米線頂端裸露出來；

4）第一次光刻，制備器件頂端透明電極的圖形結(jié)構(gòu)；

5）蒸鍍ITO透明電極、浮膠及退火，以作為豎直排列納米線的頂端接觸電極；

6）第二次光刻，制備延伸電極的圖形結(jié)構(gòu)；

7）蒸鍍延伸金屬電極、浮膠、退火，作為納米線的電學(xué)測試用電極；

8）試樣基片形成歐姆接觸，用來作為公共下電極。