[發明專利]多層嵌埋結構GaSb量子點材料的液相外延制備方法

無效

• 申請號: 201310590931.7
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103681260A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 胡淑紅;邱鋒;呂英飛;王洋;戴寧
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L21/208
• 分類號: H01L21/208
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種多層結構的GaSb量子點材料的液相外延生長方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在（100）取向的GaAs襯底之上，先生長一層GaAs緩沖層，然后再生長多層嵌埋結構的GaSb量子點材料；

2)單層周期結構為在GaSb量子點層上加GaAs蓋帽層，重復生長該周期3次以上以形成多層結構；

3)GaAs緩沖層的生長溫度需與GaSb量子點層的生長溫度一致；GaAs蓋帽層的生長溫度需比GaSb量子點層的生長溫度低0-30℃，從而確保GaSb量子點層的穩定固化，以防溶解。