[發(fā)明專利]一種硅基光致發(fā)光膜制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310590042.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN104650904A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏奇旭;朱小慶;蒲溢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州華威新材料有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/79
• 分類號(hào): C09K11/79
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

1.一種硅基光致發(fā)光膜制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）配制1%醋酸錳、3%硝酸鋱、1%醋酸鋅和5%乙醇胺的溶液，溶劑為乙二醇甲醚；

（2）在60℃～80℃下磁力攪拌30min,冷卻后放置1～3天老化,得到澄清的溶膠；

（3）用浸漬提拉法在基底上掛上一層濕膜，提拉速度由一個(gè)數(shù)字脈沖發(fā)生器和步進(jìn)馬達(dá)精確控制,提拉速度在1mm/min～100mm/min間可調(diào)；

（4）掛上濕膜的基底放置烘箱內(nèi),經(jīng)80～℃120、℃30～60min后形成干膜，然后再放入高溫爐中，在750℃～950℃溫度下固相反應(yīng)4～8h，形成發(fā)光膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光致發(fā)光膜制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中的基底為硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光致發(fā)光膜制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中攪拌溫度為70℃，冷卻放置時(shí)間為2天。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光致發(fā)光膜制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中提拉速度為50mm/min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光致發(fā)光膜制備方法，其特征在于：所述步驟（4）中烘干溫度為100℃，時(shí)間45min；高溫爐溫度為850℃，時(shí)間為6h。